3か月前
基礎評価研究所の企画開発グループで、社内を対象とした化学分析依頼業務や担当装置の保守管理を行います。分析試料の前処理・定性・定量、新規分析方法の開発に加え、社内課題解決や新規開発案件を支援します。製品設計段階から開発・製造部門と連携し、品質仕様設計や製造移管、品質改善、客先問題解決にも対応します。
650〜880万円/年
募集元で応募する3か月前
自ら研究テーマを設定し、研究活動を進める職種です。長期的な視点でエンジニアリングの専門性に従い、サイボウズの掲げているビジョンを実現するために活動します。研究テーマにはAIの技術検証とプロトタイプ開発、データベース・トランザクションの研究開発などがあります。
—給与 記載なし
募集元で応募する3か月前
ご自身の担当商品を持ち、化粧品・健康食品・医薬部外品などの処方ディレクション、仕様検討、OEMメーカーとの試作開発ディレクション、品質管理までを一気通貫で担うポジションです。新商品の仕様・処方設計、OEMメーカーの選定・試作開発ディレクション、品質評価・モニター試験、エビデンス構築・社内連携を行います。自社ラボを持たないファブレスモデルで、試作作業は外部OEMメーカーへ委託しています。
504〜1068万円/年
募集元で応募する3か月前
資格E資格(歓迎)・G検定(歓迎)・応用情報技術者(歓迎)
デンソー・トヨタからの委託研究を通じて、自動運転・先進安全向けセンシングシステムの研究・開発・解析・評価を担当します。画像センサ向け認識アルゴリズムや、ミリ波レーダ、LiDAR、ソナーを含むSensor Fusion技術の研究・実装などを行います。センサ構成の上流設計から携わり、研究から量産開発まで取り組むポジションです。
600〜1100万円/年
募集元で応募する3か月前
自動運転や高度運転支援に向けたセンサフュージョンの研究開発を行う求人です。各種センサと地図情報をフュージョンし、道路情報を把握して安全な走行や事故回避を実現するほか、ドライバの状態を推定して適切なフィードバックを提供し、事故ゼロの実現を目指します。
550〜1430万円/年
募集元で応募する3か月前
自動運転向け周辺監視センサの企画・研究開発を行う職種です。市場や技術動向、競合製品の分析、周辺監視センサの企画・仕様検討、センサモジュールの研究開発推進や関連技術の開発を担当します。株式会社デンソーの社員として株式会社ミライズ テクノロジーズに出向する求人です。
550〜1430万円/年
募集元で応募する3か月前
次世代電動システムの市場・顧客ニーズに対応する、電動車両搭載センサ製品の企画または開発を担当します。市場・競合・自社情報の収集と分析による製品企画の立案・推進、技術開発、量産に向けた製品構造や要素技術の検討、関係部署とラインの仕様検討を行います。
550〜1430万円/年
募集元で応募する3か月前
車載半導体（アナログ/デジタル/パワー）のパッケージ/モジュール実装開発を担当します。車載小型パッケージ/モジュール開発、材料開発、パッケージ構造設計、半導体後工程設計、基板設計、SoC向けチップレット開発などを行います。社内外顧客や仕入先との折衝も担当します。
550〜1100万円/年
募集元で応募する3か月前
AIとCAEを融合したデータ駆動型CAE技術の開発・企画・全社展開プロジェクトに携わる職種です。先端技術の開発・設計適用、技術の社内展開、社外研究機関との共同研究、国内外の他部署との連携を推進します。
600〜1100万円/年
募集元で応募する3か月前
電動車用車載充電器他向けの高電圧、低損失パワー半導体素子（GaNーHEMT）のプロセス開発を担当します。車載用GaN-HEMTデバイス構造に必要なユニットプロセスの開発、トータルプロセスフローの構築、デバイス性能向上やコスト改善に向けたプロセス開発を行います。
550〜1430万円/年
募集元で応募する3か月前
電動車用車載充電器などに向けた、高電圧・低損失パワー半導体素子（GaN-HEMT）の企画、開発、設計を担当します。車載用GaN-HEMTの製品企画・仕様検討やデバイス設計に加え、シミュレーション、試作評価、分析解析などを行います。
550〜1430万円/年
募集元で応募する3か月前
電動車用インバータシステム向け高電圧、大電流パワー半導体素子（SiC-MOSFET）の企画・開発・設計を担当します。車載用SiC-MOSFETの製品企画や仕様検討、デバイスシミュレーション、構造検討・レイアウト設計、素子試作評価や良品率改善などを行います。
550〜1430万円/年
募集元で応募する3か月前
電動車用インバータシステム向けの高電圧、大電流パワー半導体素子（Si-IGBT）の企画・開発・設計を担当します。車載用Si-IGBTの製品企画や仕様検討、素子開発・設計、試作評価、分析解析などを行います。
550〜1430万円/年
募集元で応募する3か月前
車載用半導体(SiC、GaN)における素子の設計技術開発(TCAD,SPICE)と、パワエレ設計環境開発を担当する。素子モデル開発、車載用信頼性の設計環境開発、素子からシステムまで一貫したパワエレ設計環境開発に従事する。
650〜1430万円/年
募集元で応募する3か月前
将来モビリティ向けのセンサ・通信の研究開発を担当します。市場・システムの動向や競合製品・技術を分析し、センサ・通信の企画や仕様検討、研究開発を推進します。対象には電池監視センサ、慣性センサ、生体センサ、無線・光通信などがあります。
550〜1430万円/年
募集元で応募する3か月前
車載向けアナログ／パワー半導体のデバイス・プロセス開発を担当します。素子構造・工程条件の設計、試作計画の立案、評価・解析、改善提案と条件最適化に携わります。半導体工程の要素技術開発も担当します。
550〜1100万円/年
募集元で応募する3か月前
電動車向けインバータや電源機器用のパワー半導体を使った、パワーエレクトロニクス回路・制御技術の研究開発を担当します。インバータ、コンバータ、半導体リレーなどの回路開発や、デバイス駆動回路、モータ・電源制御などが業務に含まれます。大学・研究機関との共同研究や、実車での評価解析を行う環境があります。
550〜1500万円/年
募集元で応募する3か月前
SiC、GaNパワー半導体のデバイスおよびプロセスに関する研究開発と、SiCエピおよびGaNウェハ技術の研究開発を行います。デバイスの企画・設計、プロセス開発、試作品のテスト・分析・評価解析などを担当します。
550〜1100万円/年
募集元で応募する3か月前
物理現象の理解とデータ分析を生かし、ハードウェアの状態を可視化するエンジニアの募集です。製品設計・特性評価に関わる3D-CAE/計測技術や、製品の状態診断・モニタシステムの要件定義と開発を担当します。マルチフィジックスCAEと測定・評価による製品設計、デジタルツイン技術の開発などに携わります。
600〜950万円/年
募集元で応募する3か月前
内燃機関の性能向上を実現する燃焼改善技術および機構の信頼性向上技術の開発と現象解析を行います。ガソリン、ディーゼル等の内燃機関の解析、各種エンジンコンポーネントの開発・設計、内燃機関における新たな計測解析技術の開発に携わります。
600〜1100万円/年
募集元で応募する3か月前
内燃機関の排気浄化システムにおける現象解析や改善手段の提案を行います。排ガス挙動や排気系コンポーネントの信頼性を解析し、新たな計測解析技術の開発にも携わります。
600〜1100万円/年
募集元で応募する3か月前
車載SoCの企画と、自動運転やコネクテッドサービスに重要なIPの実現目処付けを担います。トヨタグループ関係者と協同し、次世代SoCの仕様定義やIPの探索・調査、仕様定義、ベンダとの渉外を行います。株式会社デンソーの社員として株式会社ミライズ テクノロジーズに出向します。
650〜1430万円/年
募集元で応募する3か月前
トヨタグループの将来の車載SoCに向け、複数企業と連携して半導体の研究開発を行います。半導体パッケージのCAE解析・評価や、Signal Integrity、Power Integrityの実機検証とシミュレーション、車載用途の熱・応力・疲労・寿命予測などを担当します。
650〜1430万円/年
募集元で応募する3か月前
半導体（SoC、マイコン）を軸に、製品開発の機能安全対応を効率化するための標準実装・仕様策定や標準プロセス整備、現場での運用定着を推進します。SoC・マイコンの機能安全仕様や実装の検討、製品適用ガイドライン整備、ISO 26262 第3版への対応、SoC周辺部品を含むECUレベルの安全設計コンセプト検討および仕様策定に携わります。
550〜1430万円/年
募集元で応募する3か月前
新規ソフトウェア（アルゴリズム）の探索とHW実装、動作確認を行う。次世代移動手段について想定シーンや最適なHW、実現手段を調査し、PoCを制作する。
650〜1430万円/年
募集元で応募する3か月前
疑似量子コンピューティング技術の探索と実装検証を担当します。車載応用可能な技術の探索、応用に向けたユースケース創出と実証活動を行います。
650〜1430万円/年
募集元で応募する3か月前
エネルギー製品（水素）をはじめ、電動化・自動運転製品を構成する高機能材料開発に貢献する強度・解析技術を開発します。特殊環境下での材料物性・性能評価や現象解明、シミュレーションを活用したストレス予測、先進研究機関と協働した評価・解析技術開発に携わります。
750〜1430万円/年
募集元で応募する3か月前
フルグラフィックメータのディスプレイデバイスであるTFTの設計・開発を担当します。表示デバイスの設計、性能・品質評価、顧客や仕入先との調整、試作・量産に向けた図面作成やプロジェクトの日程・進捗管理などを行います。
550〜1430万円/年
募集元で応募する3か月前
パワー半導体基板などの次世代材料を対象に、超短パルスレーザ加工プロセスおよび光学システムの研究開発を担当します。加工条件・光学条件の最適化、加工品質などの評価・改善、光学系の基本設計や光学シミュレーションを行い、社内外と連携します。
550〜1070万円/年
募集元で応募する3か月前
パワーデバイス材料研究、デバイス開発を担当します。ウェハガス成長法、横型GaN-HEMT、酸化ガリウム、ダイヤモンド半導体などの研究開発を行います。SiCや次世代パワー半導体の研究開発を、大学・企業などと連携して進めます。
550〜1500万円/年
募集元で応募する800件中 361〜390件を表示
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