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高周波パッケージ開発エンジニア(中核候補)

450〜800万円/年

※ 募集要項に記載のレンジ。実額は選考で決まります

下限は全国の研究職(応用研究員)の求人の中央値(570万円)より120万円低い

勤務地
山梨県中巨摩郡昭和町
休日
年間休日120日完全週休2日
雇用形態
正社員

どんな仕事かAIによる生成

携帯電話基地局向けGaN HEMT・高出力増幅器を収容する高周波パッケージの開発を担当します。材料選定、構造設計、熱設計、製造装置の選定・導入・立ち上げ、試作や工程改善、機構部品の信頼性試験・解析、CAD等による作図を行います。

応募資格・募集要項・仕事内容を見る

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給与450〜800万円/年

募集元で応募する住友電工デバイス・イノベーション株式会社の採用ページへ
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応募は募集元の採用ページで受け付けています。当サイトに応募フォームはありません。

応募資格

必須

  • 下記いずれかに該当する方

    • 大学または大学院で機械工学/材料工学/電気工学/電子工学/応用物理等を専攻された方
    • 半導体パッケージ、セラミックパッケージ、電子部品実装、熱設計いずれかの実務経験
    • CAD等による機構設計・作図経験、機構部品の信頼性試験・解析経験
    • 電子デバイスのパッケージ/実装に関する研究経験(修士・博士論文テーマ、ポスドク経験を含む)

歓迎

  • 下記いずれか満たす方は特に歓迎いたします

    • 半導体パッケージ製造装置の選定・導入・立ち上げ経験
    • 高周波(GHzオーダー)領域のパッケージ技術に関する知見
    • セラミック・金属材料の知識(AlN、銅タングステン、銅モリブデン等)
    • 熱設計シミュレーションの経験
    • 英語または中国語による技術コミュニケーション能力

求める人物像

  • 物性・構造・プロセス・評価・顧客要求の連携をコミュニケーションしながら進められる方
  • 電子デバイスを「材料・物性・通信などの総合格闘技」として楽しめる方
  • 腰を据えて取り組める方(じっくりチャレンジできる環境です)

募集要項最終確認 10/16

職種
研究職(応用研究員)
雇用形態
正社員試用期間:あり。3か月。
給与
450〜800万円/年
給与の詳細
年収 450万円〜800万円 年収:450万円 〜 800万円/月給:28万円 〜 40万円 ※経験・能力等を考慮し当社規定により決定 昇給:年1回(6月) 賞与:年2回(6月・12月) ※2025年度実績 5.3ヶ月 諸手当:通勤手当、残業手当、家族手当、食事手当、在宅勤務手当
手当
通勤手当残業手当家族手当食事手当在宅勤務手当
勤務地
409-3883 山梨県中巨摩郡昭和町紙漉阿原1000
働き方
記載なし
勤務時間
フレックスタイム制(標準労働時間 7時間45分/コアタイム 11:00〜14:00)基本勤務時間:8:30〜17:15平均残業時間:月20時間程度固定残業:なし
年間休日
120日
休日・休暇
完全週休二日制(土日祝)年間休日:120日以上・有給休暇(年次有給20日、翌年繰越最大20日)・積立休暇/リフレッシュ休暇・特別休暇(慶弔休暇など)/計画有休制度(個人計画有休5日)・半日有給休暇/時間単位有給休暇・年末年始休暇・産育休:産育休取得実績あり ※初年度は入社月により異なります
福利厚生
・企業年金制度・持株会(住友電気工業株式会社)・財形貯蓄制度(一般・住宅・年金)・資格取得支援/社員食堂:あり・教育体制:社内育成プログラム、SEIグループ内教育プログラム、部門内教育プログラム、社外講習会・展示会・学会聴講の機会
社会保険
☑雇用保険 ☑労災保険 ☑健康保険 ☑厚生年金
受動喫煙対策
屋内全面禁煙
業務の変更の範囲
会社の定める業務
就業場所の変更の範囲
会社の定める場所
学歴
大学卒業以上
選考の流れ
選考プロセス:書類選考→面接(2~3回)→内定 ※選考中にSPI実施。
掲載日
2026/07/03 16:29(106日前)
最終確認
2026/10/16 06:53(1日前)

仕事内容

募集背景

  • 当社は2007年に世界で初めてGaN HEMTの製品化に成功して以来、携帯電話基地局向け化合物半導体デバイスのグローバルサプライヤーとして、国内外の主要基地局ベンダー様向けに製品を提供してまいりました。
  • GaN HEMTの高出力化・高周波化に伴い、これを収容する高周波パッケージの材料・構造・製造技術が製品競争力を左右する重要領域となっています。ポスト5G時代の基地局市場拡大に対応し、本領域を担う中核エンジニアを募集いたします。

ポジション概要

  • 携帯電話基地局向けGaN HEMT・高出力増幅器を収容する高周波パッケージの開発エンジニアを募集します。高性能化・小型化を支えるパッケージの材料選定、構造設計、製造立ち上げ、工程改善まで一気通貫で担っていただきます。

主な業務

  • 高周波パッケージの開発(材料選定、構造設計、熱設計、高周波特性維持)
  • パッケージ製造装置の選定/導入/立ち上げ
  • 試作・製造立ち上げ、製造工程の問題に対する改善検討
  • 機構部品の信頼性試験、解析
  • CAD等による作図

扱う技術領域

  • パッケージ材料:高熱伝導セラミック(AlN等)、銅タングステン、銅モリブデン等のメタル系放熱基板材料
  • パッケージ構造:高周波特性を維持する構造設計、熱マネジメント、小型化設計
  • 製造プロセス:接合、封止、実装、信頼性評価
  • 応用:ポスト5G向けGaN HEMTパッケージ

募集内容

  • (変更の範囲: 会社の定める業務)

期待する役割・ミッション

  • 入社後、教育体系と現場OJTを通じて、高周波パッケージの材料・構造・製造技術のスキルをキャッチアップしていただき、数年後には次世代パッケージ開発の中核を担うエンジニアとしてご活躍いただくことを期待しています。

キャリアパス

  • 当社は新卒採用を通じた若手エンジニア育成の経験が豊富で、その知見を活かしてキャリア入社のポテンシャル層の育成にも自信があります。入社後は、住友電工グループ全社の教育プログラム、部内の技術教育、OJTを組み合わせた育成体系のなかで、数年かけて一人前のエンジニアへと成長していただきます。適性に応じて、将来的には技術リーダー層へのキャリアパスも開かれています。

組織構成

  • 当社は新卒採用を通じた若手エンジニア育成の経験が豊富で、その知見を活かしてキャリア入社のポテンシャル層の育成にも自信があります。入社後は、住友電工グループ全社の教育プログラム、部内の技術教育、OJTを組み合わせた育成体系のなかで、数年かけて一人前のエンジニアへと成長していただきます。適性に応じて、将来的には技術リーダー層へのキャリアパスも開かれています。

技術面

  • GaN HEMTの進化に合わせ、高周波パッケージの材料・構造・製造技術が重要度を増している領域で、技術開発に関われます。
  • 世界で初めてGaN HEMTを量産製品化した実績を持つ組織で、高周波パッケージ技術の開発に携われます。
  • 材料、熱設計、高周波特性、機構設計、製造プロセスを横断する、多面的な技術チャレンジのある仕事です。

環境・ポジション面

  • 国内資本の大手メーカーだからこその安定した経営基盤のもと、腰を据えてじっくりチャレンジいただけます。
  • 住友電工グループの教育プログラムや部内OJTなど、人材育成を支える仕組みが整っています。

この求人は、住友電工デバイス・イノベーション株式会社の採用ページの内容をAIが読み取って整理したものです。応募の前に採用ページの原文を確かめてください。データの集め方企業サイト

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