半導体ウェハプロセス開発者

ポジション概要

1. 15G/6G基地局向けGaN-HEMTデバイスの製造に用いる半導体ウェハプロセスの開発を担うポジションです。
2. 2個々のユニットプロセス（成膜、エッチング、フォトリソ等）の加工条件開発から、複数のプロセスを統合して製品化するインテグレーション業務まで、応募者のご経験に応じて幅広くご担当いただきます。

具体的な仕事内容

1. 1GaN-HEMTトランジスタ用ウェハプロセスの開発（成膜、エッチング、フォトリソ等）
2. 2ユニットプロセスの加工条件開発・最適化
3. 3複数プロセスのインテグレーション（製品別の技術統合）
4. 4新規顧客要求・新製品に対応するプロセス開発
5. 5プロセスインテグレーションとユニットプロセス開発の両方の領域があり、ご経験に応じた配属が可能です。
6. 6結晶成長やデバイス設計との連携が日常的にあり、自分の技術が製品にどう活きるかが見えやすい環境です。

期待する役割・ミッション

1. 1GaN-HEMTトランジスタのウェハプロセス開発における中核メンバーとしてご活躍いただくことを期待しています。
2. 2応募者のスキル・ご経験に応じて、ユニットプロセスのスペシャリストまたはインテグレーションのリーダーとして柔軟に役割をご相談します。

キャリアパス

1. 1入社後、OJTを通じて当社固有の技術にキャッチアップいただき、数年後には担当領域の技術リーダーとしてご活躍いただけるよう成長を期待しています。
2. 2部門間異動の自由度が高く、ユニットプロセス → プロセスインテグレーション → エピ成長技術 → モデリングなど、ご志向に応じて幅広いキャリアパスが選択可能です。
3. 3各要素技術のスペシャリストとして深めるキャリアと、リーダー・課長クラスとして全体を見る力を養うキャリアの両方が開かれています。

組織構成

1. 1電子デバイス事業部 プロセス開発部
2. 2GaN-HEMTのプロセス開発を担う部門です。
3. 3プロセスインテグレーション、ユニットプロセス開発、エピタキシャル結晶成長、モデリング・シミュレーション、素子設計・レイアウトといった要素技術機能が一つの部に集約されています。
4. 4材料からトランジスタまで垂直統合された体制で機動的に技術開発を進めています。
5. 5部門間の垣根を越えた会話がしやすく、隣の技術領域で自分の成果がどう使われるかが見えやすい環境です。

本ポジションの魅力

1. 15G/6G時代の無線通信インフラを、最前線で支える事業面の魅力があります。
2. 2GaN-HEMT業界で国内断トツのシェアと売上を持ち、海外のグローバル環境で活躍できます。
3. 3住友電工グループのスケールメリットを生かし、継続的に事業を拡大しています。
4. 4最終顧客と直接仕事ができる、デバイスメーカーならではの顧客近接性があります。
5. 5シリコン半導体とは異なる、全体を見渡せる開発体制があります。
6. 6プロセス開発部にユニットプロセスからインテグレーション、結晶成長、モデリングまでの要素技術機能が集約されています。
7. 7上流から下流まで全体を見渡しながら、製品全体を理解した上で開発に取り組める環境です。
8. 8ユニットプロセス → プロセスインテグレーション → エピ成長技術 → モデリングなど、部門間異動の自由度が高く、総合力と広い視野を身につけられます。
9. 9本人希望があれば、顧客対応や製品の利用シーンにも視野を広げる機会があります。
10. 10住友電工グループの一員として、安定した経営基盤のもと長期的にキャリアを築けます。

応募資格（必須）

• 化合物半導体（GaN、GaAs等）のウェハプロセス開発経験をお持ちの方
• シリコン半導体、LED、SiC等のウェハプロセス開発経験をお持ちの方
• 半導体製造装置メーカーでのプロセス技術開発経験をお持ちの方

歓迎する経験

• GaN-HEMTの開発経験
• 高周波デバイスに関する知識
• プロセスインテグレーションのご経験
• 量産立ち上げ・歩留まり改善のご経験

待遇・福利厚生

• 企業年金・DC制度
• 定年65歳
• 屋内全面禁煙
• 年末年始休暇
• 特別休暇
• 社会保険完備
• 社員研修制度
• 資格取得支援

求めるスキル・経験