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山梨県の求人390件

高周波増幅器設計エンジニア(中核候補)

450〜800万円/年

※ 募集要項に記載のレンジ。実額は選考で決まります

下限は全国の電気設計・回路設計の求人の中央値(500万円)より50万円低い

勤務地
山梨県中巨摩郡昭和町
休日
年間休日120日完全週休2日
雇用形態
正社員

どんな仕事かAIによる生成

携帯電話基地局向けGaN HEMTを用いた高出力増幅器の設計開発を担います。顧客要求仕様を起点に、回路設計から試作・評価・製品化まで、顧客と並走しながら開発をリードします。勤務地は山梨事業所です。

応募資格・募集要項・仕事内容を見る

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給与450〜800万円/年

募集元で応募する住友電工デバイス・イノベーション株式会社の採用ページへ
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応募は募集元の採用ページで受け付けています。当サイトに応募フォームはありません。

応募資格

必須

  • 下記いずれかに該当する方

    • 大学または大学院で電気工学/電子工学/応用物理/物理・物性等を専攻された方(社会人経験が同領域の開発以外であっても、基礎知識のキャッチアップ意欲があれば対象)
    • 高周波回路設計、RFアンプ、電磁界シミュレーション、GHz帯測定いずれかの実務経験をお持ちの方
    • 無線通信、高周波、アンテナ、RFシステム等に関する研究経験(修士・博士論文テーマ、ポスドク経験を含む)

歓迎

  • 下記いずれか満たす方は特に歓迎いたします

    • 高周波シミュレータ(ADS、MWO/AWR)の使用経験
    • CAD等による回路図作成経験
    • GHz帯のRF測定経験
    • 英語または中国語による技術コミュニケーション能力

求める人物像

  • 物性・構造・プロセス・評価・顧客要求の連携をコミュニケーションしながら進められる方
  • 電子デバイスを「材料・物性・通信などの総合格闘技」として楽しめる方
  • 腰を据えて取り組める方(じっくりチャレンジできる環境です)

使用ツール

ドハティ増幅器非対称ドハティ3-way/4-wayGaN HEMTDPD高周波特性・信頼性評価GHzオーダーRF測定

募集要項最終確認 10/16

職種
電気設計・回路設計
雇用形態
正社員試用期間:あり。3か月。
役職
中核候補
給与
450〜800万円/年
給与の詳細
年収 450万円〜800万円 年収:450万円 〜 800万円/月給:28万円 〜 40万円 ※経験・能力等を考慮し当社規定により決定 昇給:年1回(6月) 賞与:年2回(6月・12月) ※2025年度実績 5.3ヶ月 諸手当:通勤手当、残業手当、家族手当、食事手当、在宅勤務手当
手当
通勤手当残業手当家族手当食事手当在宅勤務手当
勤務地
409-3883 山梨県中巨摩郡昭和町紙漉阿原1000
転勤
(変更の範囲: 会社の定める場所)
働き方
記載なし
勤務時間
フレックスタイム制(標準労働時間 7時間45分/コアタイム 11:00〜14:00)基本勤務時間:8:30〜17:15平均残業時間:月20時間程度固定残業:なし
年間休日
120日
休日・休暇
完全週休二日制(土日祝)年間休日:120日以上・有給休暇(年次有給20日、翌年繰越最大20日)・積立休暇/リフレッシュ休暇・特別休暇(慶弔休暇など)/計画有休制度(個人計画有休5日)・半日有給休暇/時間単位有給休暇・年末年始休暇・産育休:産育休取得実績あり ※初年度は入社月により異なります
福利厚生
企業年金制度持株会(住友電気工業株式会社)財形貯蓄制度(一般・住宅・年金)資格取得支援/社員食堂:あり教育体制:社内育成プログラム、SEIグループ内教育プログラム、部門内教育プログラム、社外講習会・展示会・学会聴講の機会
社会保険
☑雇用保険 ☑労災保険 ☑健康保険 ☑厚生年金
受動喫煙対策
屋内全面禁煙
業務の変更の範囲
会社の定める業務
就業場所の変更の範囲
会社の定める場所
学歴
大学卒業以上
選考の流れ
選考プロセス:書類選考→面接(2~3回)→内定 ※選考中にSPI実施。
掲載日
2026/07/03 16:29(106日前)
最終確認
2026/10/16 06:53(1日前)

仕事内容

募集背景

  • 当社は2007年に世界で初めてGaN HEMTの製品化に成功して以来、携帯電話基地局向け化合物半導体デバイスのグローバルサプライヤーとして、国内外の主要基地局ベンダー様向けに製品を提供してまいりました。
  • ポスト5G時代を見据えた基地局市場の拡大に対応するため、顧客要求仕様を起点に高周波増幅器の設計開発をリードする中核エンジニアを募集いたします。

ポジション概要

  • 携帯電話基地局向けGaN HEMTを用いた高出力増幅器の設計開発を担うエンジニアを募集します。国内外の主要基地局ベンダー様からの顧客要求仕様を受け、ドハティ増幅器等の回路設計から試作・評価・製品化まで、顧客と並走しながら開発をリードいただきます。

主な業務

  • 顧客要求仕様を起点とした回路トポロジ検討(ドハティ増幅器、非対称ドハティ、3-way/4-way等)
  • 高周波シミュレータ(ADS、MWO/AWR)による回路設計、電磁界解析
  • 試作品の高周波特性・信頼性評価(GHzオーダーRF測定)
  • デバイス設計部門・パッケージ設計部門との協働、プロセス技術者との課題解決
  • 顧客との技術コミュニケーション(コンカレント・エンジニアリング)

扱う技術領域

  • RFパワーアンプ:ドハティ増幅器、広帯域電力増幅器、DPD対応、効率化
  • デバイス:GaN HEMT
  • 応用:ポスト5G基地局向け高出力増幅器
  • (変更の範囲: 会社の定める業務)

期待する役割・ミッション

  • 入社後、教育体系と現場OJTを通じて、GaN HEMT増幅器の回路設計、高周波シミュレーション、顧客折衝のスキルをキャッチアップしていただき、数年後には顧客向けプロダクト開発を任せられるエンジニアとしてご活躍いただくことを期待しています。

キャリアパス

  • 当社は新卒採用を通じた若手エンジニア育成の経験が豊富で、その知見を活かしてキャリア入社のポテンシャル層の育成にも自信があります。入社後は、住友電工グループ全社の教育プログラム、部内の技術教育、OJTを組み合わせた育成体系のなかで、数年かけて一人前のエンジニアへと成長していただきます。適性に応じて、将来的には技術リーダー層へのキャリアパスも開かれています。

組織構成

  • 電子デバイス事業部 電子デバイス第一開発部
  • 顧客向け製品開発、GaN HEMTのデバイス技術開発、高周波パッケージ開発などの機能を擁し、各領域が連携しながら開発を進めています。本ポジションは、顧客向け製品開発を担う領域への配属を想定しています。山梨事業所を主な拠点としています。

技術面

  • 2007年に世界で初めてGaN HEMTを量産製品化し、現在も世界有数の市場シェアを持つ増幅器製品開発の最前線に関われます。
  • 材料・物性・高周波回路・顧客要求の統合点で設計判断を下す、電子デバイスの総合格闘技ともいえる仕事です。
  • 国内外の主要基地局ベンダー様とのコンカレント・エンジニアリングを通じて、顧客目線でのプロダクト開発スキルが身につきます。

環境・ポジション面

  • 国内資本の大手メーカーだからこその安定した経営基盤のもと、腰を据えてじっくりチャレンジいただけます。
  • 住友電工グループの教育プログラムや部内OJTなど、人材育成を支える仕組みが整っています。

この求人は、住友電工デバイス・イノベーション株式会社の採用ページの内容をAIが読み取って整理したものです。応募の前に採用ページの原文を確かめてください。データの集め方企業サイト

職種と勤務地が似ている求人山梨県の電気設計・回路設計

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