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高周波増幅器設計スペシャリスト
- 勤務地
- 山梨県中巨摩郡昭和町
- 休日
- 年間休日120日完全週休2日
- 雇用形態
- 正社員
どんな仕事かAIによる生成
携帯電話基地局向けGaN HEMTを用いた高出力増幅器の設計開発を担います。顧客要求仕様を起点に、ドハティ増幅器等の回路設計から試作・評価・製品化まで、顧客と並走しながら開発をリードします。
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応募資格
必須
歓迎
求める人物像
- 物性・構造・プロセス・評価・顧客要求の連携をコミュニケーションしながら進められる方
- 電子デバイスを「材料・物性・通信などの総合格闘技」として楽しめる方
- 腰を据えて取り組める方(じっくりチャレンジできる環境です)
応募について
- UIターン歓迎
- UIターンで山梨勤務をご希望の方
使用ツール
募集要項最終確認 10/16
- 職種
- ハードウェアエンジニア
- 雇用形態
- 正社員試用期間：あり。3か月。
- 役職
- 若手エンジニアを指導していただくことを期待しています。
- 給与
- 450〜800万円/年
- 給与の詳細
- 年収 450万円〜800万円 年収：450万円 〜 800万円／月給：28万円 〜 40万円 ※経験・能力等を考慮し当社規定により決定 昇給：年1回(6月) 賞与：年2回(6月・12月) ※2025年度実績 5.3ヶ月 諸手当：通勤手当、残業手当、家族手当、食事手当、在宅勤務手当固定残業：なし
- 手当
- 通勤手当残業手当家族手当食事手当在宅勤務手当
- 勤務地
- 409-3883 山梨県中巨摩郡昭和町紙漉阿原1000
- 働き方
- 記載なし
- 勤務時間
- フレックスタイム制（標準労働時間 7時間45分／コアタイム 11:00〜14:00） 基本勤務時間：8:30〜17:15 平均残業時間：月20時間程度 固定残業：なし
- 年間休日
- 120日
- 休日・休暇
- 完全週休二日制（土日祝）年間休日：120日以上有給休暇（年次有給20日、翌年繰越最大20日）積立休暇／リフレッシュ休暇特別休暇（慶弔休暇など）／計画有休制度（個人計画有休5日）半日有給休暇／時間単位有給休暇年末年始休暇産育休：産育休取得実績あり ※初年度は入社月により異なります
- 福利厚生
- 企業年金制度持株会（住友電気工業株式会社）財形貯蓄制度（一般・住宅・年金）資格取得支援社員食堂：あり社内育成プログラムSEIグループ内教育プログラム部門内教育プログラム社外講習会・展示会・学会聴講の機会
- 社会保険
- ☑雇用保険 ☑労災保険 ☑健康保険 ☑厚生年金
- 受動喫煙対策
- 屋内全面禁煙
- 業務の変更の範囲
- 会社の定める業務
- 就業場所の変更の範囲
- 会社の定める場所
- 経験年数
- 10年以上
- 選考の流れ
- 選考プロセス：書類選考→面接（2～3回）→内定 ※選考中にSPI実施。
- 掲載日
- 2026/07/03 16:29（106日前）
- 最終確認
- 2026/10/16 06:53（1日前）
仕事内容
募集背景
- 当社は2007年に世界で初めてGaN HEMTの製品化に成功して以来、携帯電話基地局向け化合物半導体デバイスのグローバルサプライヤーとして、国内外の主要基地局ベンダー様向けに製品を提供してまいりました。ポスト5G時代を見据えた基地局市場の拡大に対応するため、顧客要求仕様を起点に高周波増幅器の設計開発をリードするスペシャリストの方を募集いたします。
ポジション概要
- 携帯電話基地局向けGaN HEMTを用いた高出力増幅器の設計開発を担うエンジニアを募集します。国内外の主要基地局ベンダー様からの顧客要求仕様を受け、ドハティ増幅器等の回路設計から試作・評価・製品化まで、顧客と並走しながら開発をリードいただきます。
主な業務
- 顧客要求仕様を起点とした回路トポロジ検討（ドハティ増幅器、非対称ドハティ、3-way／4-way等）
- 高周波シミュレータ（ADS、MWO／AWR）による回路設計、電磁界解析
- 試作品の高周波特性・信頼性評価（GHzオーダーRF測定）
- デバイス設計部門・パッケージ設計部門との協働、プロセス技術者との課題解決
- 顧客との技術コミュニケーション（コンカレント・エンジニアリング）
扱う技術領域
- RFパワーアンプ：ドハティ増幅器、広帯域電力増幅器、DPD対応、効率化
- デバイス：GaN HEMT
- 応用：ポスト5G基地局向け高出力増幅器
募集内容
- (変更の範囲: 会社の定める業務)
期待する役割・ミッション
- 期待する役割 ★ 基地局向けRFパワーアンプまたは高周波回路設計で長年培われた専門性を活かし、スペシャリストとして手を動かしながら、若手エンジニアを指導していただくことを期待しています。
キャリアパス
- 入社後は部のテクニカル・エキスパートとして、GaN HEMTを用いた高出力増幅器の設計開発に深く関わっていただきます。電機メーカーやデバイスメーカーでの知見を継続してスペシャリストとして生かしたい方、UIターンで山梨での落ち着いた開発環境をお求めの方に適したキャリア形成が可能です。
組織構成
- 電子デバイス事業部 電子デバイス第一開発部
- 顧客向け製品開発、GaN HEMTのデバイス技術開発、高周波パッケージ開発などの機能を擁し、各領域が連携しながら開発を進めています。本ポジションは、顧客向け製品開発を担う領域への配属を想定しています。山梨事業所を主な拠点としています。
技術面
- 2007年に世界で初めてGaN HEMTを量産製品化し、現在も世界有数の市場シェアを持つ増幅器製品開発の最前線に関われます。
- 材料・物性・高周波回路・顧客要求の統合点で設計判断を下す、電子デバイスの総合格闘技ともいえる仕事です。
- 国内外の主要基地局ベンダー様とのコンカレント・エンジニアリングを通じて、顧客目線でのプロダクト開発スキルが身につきます。
環境・ポジション面
- 国内資本の大手メーカーだからこその安定した経営基盤のもと、腰を据えてじっくりチャレンジいただけます。
- 住友電工グループの教育プログラムや部内OJTなど、人材育成を支える仕組みが整っています。
この求人は、住友電工デバイス・イノベーション株式会社の採用ページの内容をAIが読み取って整理したものです。応募の前に採用ページの原文を確かめてください。データの集め方企業サイト
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