GaN-HEMTデバイス開発スペシャリスト

必須

• 下記いずれかに該当する10年以上の実務経験をお持ちの方

  • GaN HEMT、GaAs HEMT等の化合物半導体高周波デバイスの設計・開発経験
  • 化合物半導体の結晶成長(MOCVD等)またはプロセス開発の実務経験
  • RFパワートランジスタ(LDMOS、GaN含む)の設計・特性評価の実務経験
  • 上記に類する半導体デバイス開発のシニアスペシャリスト経験

歓迎

• 下記いずれか満たす方は特に歓迎いたします

  • 国内外の基地局ベンダー、RFデバイスメーカー、総合電機メーカー等でご活躍されてきた方
  • UIターンで山梨勤務をご希望の方
  • プレイングリーダーとして若手指導のご経験がある方
  • 英語または中国語での技術コミュニケーション能力

求める人物像

• 物性・構造・プロセス・評価・顧客要求の連携をコミュニケーションしながら進められる方
• 電子デバイスを「材料・物性・通信などの総合格闘技」として楽しめる方
• 腰を据えて取り組める方(じっくりチャレンジできる環境です)

使用ツール

募集背景

• 当社は2007年に世界で初めてGaN HEMTの製品化に成功して以来、携帯電話基地局向け化合物半導体デバイスのグローバルサプライヤーとして、国内外の主要基地局ベンダー様向けに製品を提供してまいりました。
• ポスト5G時代を見据えた基地局市場の拡大に対応し、GaN HEMTデバイスの製品開発・量産展開を担う体制を強化するため、本領域を担うスペシャリストの方を募集いたします。

ポジション概要

• 携帯電話基地局向けGaN HEMT（窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ）のデバイス技術エンジニアを募集します。試作デバイスの特性評価とフィードバックを通じて、プロセス技術者・生産技術者と協議しながら、量産デバイスの特性最大化・歩留改善・製品化まで伴走いただきます。

主な業務

• 試作デバイスの特性評価（高周波特性、DC特性、信頼性）とフィードバック
• デバイス特性の作り込み・歩留改善に向けたプロセス技術者・生産技術者との協議
• 量産立ち上げ、不具合解析、品質安定化
• 顧客要求仕様に応じたデバイス特性の最適化

扱う技術領域

• 化合物半導体：GaN、AlGaN、AlN、GaN on SiC 等
• デバイス構造：HEMT構造、フィールドプレート、ゲート絶縁膜 等
• 応用：ポスト5G基地局向けパワートランジスタ

開発フロー（目安）

• 顧客／社内からの要求仕様 → デバイス評価 → プロセス技術連携 → 試作 → 評価 → 製品化・量産展開
• (変更の範囲: 会社の定める業務)

期待する役割・ミッション

• GaN HEMTまたは類似の化合物半導体高周波デバイス領域で長年培われた専門性を活かし、スペシャリストとして手を動かしながら、若手エンジニアを指導していただくことを期待しています。

キャリアパス

• 入社後は部のテクニカル・エキスパートとして、GaN HEMTデバイスの製品開発・量産展開に深く関わっていただきます。電機メーカーやデバイスメーカーでの知見を継続してスペシャリストとして生かしたい方、UIターンで山梨での落ち着いた開発環境をお求めの方に適したキャリア形成が可能です。

組織構成

• 電子デバイス事業部 電子デバイス第一開発部
• GaN HEMTのデバイス技術開発、顧客向け製品開発、高周波パッケージ開発などの機能を擁し、各領域が連携しながら開発を進めています。本ポジションは、GaN HEMTのデバイス技術開発を担う領域への配属を想定しています。山梨事業所を主な拠点としています。

技術面

• 材料・物性・通信を横断する「電子デバイスの総合格闘技」を担える環境です。
• GaN HEMTという、世界的に需要が拡大する高周波パワーデバイスの量産・製品開発の最前線に関われます。
• 国内外の主要基地局ベンダー様への採用実績を通じた、リアルな製品化フィードバックのある開発環境です。

環境・ポジション面

• 国内資本の大手メーカーだからこその安定した経営基盤のもと、プレイヤーとして専門性を深化いただけます。
• シニアの知見と経験が高く評価される環境で、ご自身の技術資産を次世代へと伝承いただけます。
• 山梨事業所での落ち着いた開発環境で、UIターン希望の方にも適した職場です。