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GaN-HEMTデバイス開発スペシャリスト
給与
450〜800万円/年※ 募集要項に記載のレンジ。実額は選考で決まります
- 勤務地
- 山梨県中巨摩郡昭和町
- 雇用形態
- 正社員
- 働き方
- 記載なし
- 年間休日
- 120日
完全週休2日
仕事内容ハードウェアエンジニア
住友電工グループの化合物半導体デバイス専業メーカーで、5G基地局向けGaN HEMTデバイスの開発スペシャリストを募集する。試作デバイスの特性評価から量産立ち上げまで、プロセス・生産技術者と連携して製品化を担う。10年以上の実務経験を持つシニア人材を求め、若手エンジニアの指導も期待されている。
仕事内容
- 試作デバイスの特性評価(高周波特性、DC特性、信頼性)とフィードバック
- デバイス特性の作り込み・歩留改善に向けたプロセス技術者・生産技術者との協議
- 量産立ち上げ、不具合解析、品質安定化
- 顧客要求仕様に応じたデバイス特性の最適化
- 扱う技術領域:化合物半導体(GaN、AlGaN、AlN、GaN on SiC 等)、デバイス構造(HEMT構造、フィールドプレート、ゲート絶縁膜 等)、応用(ポスト5G基地局向けパワートランジスタ)
- 開発フロー(目安):顧客/社内からの要求仕様 → デバイス評価 → プロセス技術連携 → 試作 → 評価 → 製品化・量産展開
期待する役割・ミッション
- GaN HEMTまたは類似の化合物半導体高周波デバイス領域で長年培われた専門性を活かし、スペシャリストとして手を動かしながら、若手エンジニアを指導していただくことを期待
キャリアパス
- 入社後は部のテクニカル・エキスパートとして、GaN HEMTデバイスの製品開発・量産展開に深く関わる
- 電機メーカーやデバイスメーカーでの知見を継続してスペシャリストとして生かしたい方、UIターンで山梨での落ち着いた開発環境をお求めの方に適したキャリア形成が可能
組織構成
- 電子デバイス事業部 電子デバイス第一開発部
- GaN HEMTのデバイス技術開発、顧客向け製品開発、高周波パッケージ開発などの機能を擁し、各領域が連携しながら開発を進めている
- 本ポジションは、GaN HEMTのデバイス技術開発を担う領域への配属を想定。山梨事業所を主な拠点とする
- 30代・40代前半のメンバーも多数在籍しており、世代を超えたコミュニケーションが活発な職場
本ポジションの魅力
- 材料・物性・通信を横断する「電子デバイスの総合格闘技」を担える環境
- GaN HEMTという、世界的に需要が拡大する高周波パワーデバイスの量産・製品開発の最前線に関われる
- 国内外の主要基地局ベンダー様への採用実績を通じた、リアルな製品化フィードバックのある開発環境
- 国内資本の大手メーカーだからこその安定した経営基盤のもと、プレイヤーとして専門性を深化できる
- シニアの知見と経験が高く評価される環境で、ご自身の技術資産を次世代へと伝承できる
- 山梨事業所での落ち着いた開発環境で、UIターン希望の方にも適した職場
募集要項最終確認 8/5
- 雇用形態
- 正社員
- 想定年収
- 450〜800万円/年
- 勤務地
- 山梨県中巨摩郡昭和町
- 働き方
- 記載なし
- 年間休日
- 120日
- 職種
- ハードウェアエンジニア
- 経験年数
- 10年以上
- 掲載日
- 7/3
- 最終確認
- 8/5
応募資格(必須)
- 下記いずれかに該当する10年以上の実務経験をお持ちの方
- GaN HEMT、GaAs HEMT等の化合物半導体高周波デバイスの設計・開発経験
- 化合物半導体の結晶成長(MOCVD等)またはプロセス開発の実務経験
- RFパワートランジスタ(LDMOS、GaN含む)の設計・特性評価の実務経験
- 上記に類する半導体デバイス開発のシニアスペシャリスト経験
歓迎する経験
- 国内外の基地局ベンダー、RFデバイスメーカー、総合電機メーカー等でご活躍されてきた方
- UIターンで山梨勤務をご希望の方
- プレイングリーダーとして若手指導のご経験がある方
- 英語または中国語での技術コミュニケーション能力
待遇・福利厚生
- 企業年金・DC制度
- 屋内全面禁煙
- 社会保険完備
- 社員研修制度
- 資格取得支援
求めるスキル・経験
この求人は住友電工デバイス・イノベーション株式会社の採用ページの掲載内容をもとに構成しています。応募条件の最新情報は募集元をご確認ください。
山梨県のハードウェアエンジニアの求人
募集元の採用ページから応募できます
応募は住友電工デバイス・イノベーション株式会社の採用ページで受け付けています。このページは採用ページの掲載内容をもとに構成しているため、最新の応募条件は募集元でご確認ください。
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