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化合物半導体プロセス開発エンジニア
給与
450〜800万円/年※ 募集要項に記載のレンジ。実額は選考で決まります
- 勤務地
- 神奈川県横浜市栄区
- 雇用形態
- 正社員
- 働き方
- ハイブリッド勤務
- 年間休日
- 120日
完全週休2日
仕事内容電気・電子設計エンジニア
化合物半導体光デバイスのプロセス技術開発、特にMOCVDを用いたエピタキシャル結晶成長を中心とするエンジニアを募集します。量子井戸構造や三次元構造の成長技術を開発し、光素子設計部と連携して新製品の開発・特性改善を牽引していただきます。応募資格は光半導体デバイスまたは化合物半導体の結晶成長・プロセス開発経験、または関連研究経験が必要です。
仕事内容
- MOCVD装置を用いたエピタキシャル結晶成長プロセスの開発・最適化
- 量子井戸などの複雑な結晶構造の成長制御
- 平坦成長 → 部分エッチング → 再成長という化合物半導体特有の三次元構造形成プロセス開発
- スパッタリング、エッチング等の電極形成プロセス技術
- 光素子設計部との連携による、設計起点のプロセス課題解決
期待する役割・ミッション
- エピ成長の巧拙がデバイス特性の大半を決める事業において、与えられた材料系のなかで最適解を導くプロセスエンジニアとしての活躍を期待
- 光素子設計部と連携しながら、次世代デバイスのプロセスを立ち上げ、量産部門への移管まで牽引する中核メンバーとしての役割
キャリアパス
- 実力と適性に応じて、入社数年で重要プロジェクトの中心メンバーとして任される文化
- 数年目で若手の指導役を担うサイクルが回り始めており、育成役を通じて部のテクニカルリードへと成長するキャリアが描ける
組織構成
- プロセス開発部(人数:部長含め30名体制)
- 第一開発課:16名(山梨4名、横浜12名)
- 第二開発課:13名(山梨7名、横浜6名)
- 今後山梨が主力となる傾向があるが、製造装置・ラボは両拠点にあり、拠点間出張によるフレキシブルな運用が可能
- 年齢構成は30〜40歳以下と50歳以上が中心で、中間層(40〜50歳)が薄い状況
本ポジションの魅力
- MOCVDによるエピ成長が特性の9割を決めるという、プロセスが主役の事業領域
- シリコン半導体とは全く異なる三次元構造成長という独自技術の最前線
- AIブームを支える光通信インフラを技術の根幹から支える役割
- 実力があると判断した人材には早期に任せる文化、面倒見の良い育成環境
- 光素子設計部と「車の両輪」として、設計から製造まで一気通貫で関われる
- 「わいがや」のコミュニケーション文化で、行き詰まった時に相談しながら進められる
- 住友電工グループの安定基盤と、急拡大市場のスピード感を両立
- 化合物半導体の特殊プロセス技術の専門家として、希少性の高いキャリアを形成
募集要項最終確認 8/5
- 雇用形態
- 正社員
- 想定年収
- 450〜800万円/年
- 勤務地
- 神奈川県横浜市栄区
- 働き方
- ハイブリッド勤務
- 年間休日
- 120日
- 職種
- 電気・電子設計エンジニア
- 経験年数
- 不問
- 掲載日
- 7/3
- 最終確認
- 8/5
応募資格(必須)
- 光半導体デバイスの結晶成長またはプロセス開発経験:半導体レーザ、LED、受光素子、光変調器など
- 化合物半導体の結晶成長またはウェハプロセス開発経験:InP、GaAs、GaN、SiC等の結晶成長(MOCVD/MBE/HVPE等)またはウェハプロセス開発経験。用途不問(パワー半導体、RFデバイス、化合物太陽電池など)
- 研究経験:光通信・光デバイス・化合物半導体のいずれかに関する研究経験(修士・博士論文テーマ、ポスドク経験を含む)
歓迎する経験
- MOCVD装置の操作・プロセスレシピ開発経験
- 量子井戸構造の成長制御経験
- 再成長・埋め込み成長など三次元構造形成経験
- LED開発経験
- 光電変換材料など化合物半導体関連材料の開発経験(材料メーカー出身)
- シリコンフォトニクス開発経験
待遇・福利厚生
- 企業年金・DC制度
- 家族手当
- 年末年始休暇
- 残業・深夜手当あり
- 特別休暇
- 社員研修制度
- 資格取得支援
- 通勤費(上限あり)
求めるスキル・経験
この求人は住友電工デバイス・イノベーション株式会社の採用ページの掲載内容をもとに構成しています。応募条件の最新情報は募集元をご確認ください。
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募集元の採用ページから応募できます
応募は住友電工デバイス・イノベーション株式会社の採用ページで受け付けています。このページは採用ページの掲載内容をもとに構成しているため、最新の応募条件は募集元でご確認ください。
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