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GaN-HEMTデバイス開発エンジニア（中核候補）
- 勤務地
- 山梨県中巨摩郡昭和町
- 休日
- 年間休日120日完全週休2日
- 雇用形態
- 正社員
どんな仕事かAIによる生成
携帯電話基地局向けGaN HEMTのデバイス技術エンジニアとして、試作デバイスの特性評価とフィードバックを行います。プロセス技術者・生産技術者と協議しながら、量産デバイスの特性最大化、歩留改善、量産立ち上げ、不具合解析、品質安定化、製品化まで担います。
この求人に応募
応募資格
必須
次のいずれか
- 基礎学問の素養をお持ちの方：大学または大学院で物理・物性／電気工学／電子工学／応用物理等を専攻された方(社会人経験が同領域の開発以外、例えば品質保証・開発購買・異分野の開発等であっても、基礎知識のキャッチアップ意欲があれば対象)
- 化合物半導体／高周波デバイス関連の実務経験をお持ちの方：GaN／GaAs／SiC等のデバイス開発、結晶成長、プロセス開発、高周波評価いずれかのご経験
- 研究経験をお持ちの方：化合物半導体・高周波デバイス・半導体物性に関する修士・博士論文テーマ、ポスドク経験
歓迎
次のいずれか
- 半導体デバイス(Si、化合物問わず)の設計・評価・プロセス経験
- 高周波(GHz帯)測定、電磁界シミュレーション(ADS、MWO等)の経験
- 英語または中国語による技術文書読解・コミュニケーション能力
求める人物像
- 物性・構造・プロセス・評価・顧客要求の連携をコミュニケーションしながら進められる方
- 電子デバイスを「材料・物性・通信などの総合格闘技」として楽しめる方
- 腰を据えて取り組める方(じっくりチャレンジできる環境です)
応募について
- 基礎学問の素養をお持ちであれば、当社事業領域(化合物半導体・高周波デバイス)が未経験であっても問題ございません。
募集要項最終確認 10/16
- 職種
- 研究職（応用研究員）
- 雇用形態
- 正社員試用期間：あり。3か月。
- 役職
- 中核候補数年後には部の中核エンジニアとしてご活躍いただくことを期待しています。
- 給与
- 450〜800万円/年
- 給与の詳細
- 年収 450万円〜800万円 年収：450万円 〜 800万円／月給：28万円 〜 40万円 ※経験・能力等を考慮し当社規定により決定 昇給：年1回(6月) 賞与：年2回(6月・12月) ※2025年度実績 5.3ヶ月 諸手当：通勤手当、残業手当、家族手当、食事手当、在宅勤務手当
- 手当
- 通勤手当残業手当家族手当食事手当在宅勤務手当
- 勤務地
- 409-3883 山梨県中巨摩郡昭和町紙漉阿原1000
- 働き方
- 記載なし
- 勤務時間
- フレックスタイム制（標準労働時間 7時間45分／コアタイム 11:00〜14:00）基本勤務時間：8:30〜17:15平均残業時間：月20時間程度固定残業：なし
- 年間休日
- 120日
- 休日・休暇
- 完全週休二日制（土日祝）年間休日：120日以上有給休暇（年次有給20日、翌年繰越最大20日）積立休暇／リフレッシュ休暇特別休暇（慶弔休暇など）計画有休制度（個人計画有休5日）半日有給休暇／時間単位有給休暇年末年始休暇産育休：産育休取得実績あり ※初年度は入社月により異なります
- 福利厚生
- 企業年金制度持株会（住友電気工業株式会社）財形貯蓄制度（一般・住宅・年金）資格取得支援／社員食堂：あり教育体制：社内育成プログラム、SEIグループ内教育プログラム、部門内教育プログラム、社外講習会・展示会・学会聴講の機会
- 社会保険
- ☑雇用保険 ☑労災保険 ☑健康保険 ☑厚生年金
- 受動喫煙対策
- 屋内全面禁煙
- 業務の変更の範囲
- (変更の範囲: 会社の定める業務)
- 就業場所の変更の範囲
- （変更の範囲: 会社の定める場所）
- 学歴
- 大学卒業以上
- 選考の流れ
- 選考プロセス：書類選考→面接（2～3回）→内定 ※選考中にSPI実施。
- 掲載日
- 2026/07/03 16:29（106日前）
- 最終確認
- 2026/10/16 06:53（1日前）
仕事内容
募集背景
- 当社は2007年に世界で初めてGaN HEMTの製品化に成功して以来、携帯電話基地局向け化合物半導体デバイスのグローバルサプライヤーとして、国内外の主要基地局ベンダー様向けに製品を提供してまいりました。
- ポスト5G時代を見据えた基地局市場の拡大に対応し、GaN HEMTデバイスの製品開発・量産展開を担う体制を強化するため、本領域を担う中核エンジニアを募集いたします。
ポジション概要
- 携帯電話基地局向けGaN HEMT（窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ）のデバイス技術エンジニアを募集します。試作デバイスの特性評価とフィードバックを通じて、プロセス技術者・生産技術者と協議しながら、量産デバイスの特性最大化・歩留改善・製品化まで伴走いただきます。
主な業務
- 試作デバイスの特性評価（高周波特性、DC特性、信頼性）とフィードバック
- デバイス特性の作り込み・歩留改善に向けたプロセス技術者・生産技術者との協議
- 量産立ち上げ、不具合解析、品質安定化
- 顧客要求仕様に応じたデバイス特性の最適化
扱う技術領域
- 化合物半導体：GaN、AlGaN、AlN、GaN on SiC 等
- デバイス構造：HEMT構造、フィールドプレート、ゲート絶縁膜 等
- 応用：ポスト5G基地局向けパワートランジスタ
開発フロー（目安）
- 顧客／社内からの要求仕様 → デバイス評価 → プロセス技術連携 → 試作 → 評価 → 製品化・量産展開
- (変更の範囲: 会社の定める業務)
期待する役割・ミッション
- 入社後、教育体系と現場OJTを通じてGaN HEMTのデバイス設計・プロセス連携のスキルをキャッチアップしていただき、数年後には部の中核エンジニアとしてご活躍いただくことを期待しています。
- 基礎学問の素養をお持ちであれば、当社事業領域(化合物半導体・高周波デバイス)が未経験であっても問題ございません。
キャリアパス
- 当社は新卒採用を通じた若手エンジニア育成の経験が豊富で、その知見を活かしてキャリア入社のポテンシャル層の育成にも自信があります。入社後は、住友電工グループ全社の教育プログラム、部内の技術教育、OJTを組み合わせた育成体系のなかで、数年かけて一人前のエンジニアへと成長していただきます。適性に応じて、将来的には技術リーダー層へのキャリアパスも開かれています。
組織構成
- 電子デバイス事業部 電子デバイス第一開発部
- GaN HEMTのデバイス技術開発、顧客向け製品開発、高周波パッケージ開発などの機能を擁し、各領域が連携しながら開発を進めています。本ポジションは、GaN HEMTのデバイス技術開発を担う領域への配属を想定しています。山梨事業所を主な拠点としています。
技術面
- 材料・物性・通信を横断する「電子デバイスの総合格闘技」を、若いうちから経験できます。
- GaN HEMTという、世界的に需要が拡大する高周波パワーデバイスの量産・製品開発の最前線に関われます。
- デバイス評価から歩留改善、顧客対応まで、製品を世に出す一連のプロセスに携われます。
環境・ポジション面
- 国内資本の大手メーカーだからこその安定した経営基盤のもと、腰を据えてじっくりチャレンジいただけます。
- 住友電工グループの教育プログラムや部内OJTなど、人材育成を支える仕組みが整っています。
この求人は、住友電工デバイス・イノベーション株式会社の採用ページの内容をAIが読み取って整理したものです。応募の前に採用ページの原文を確かめてください。データの集め方企業サイト
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