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GaN-HEMTデバイス開発エンジニア
給与
450〜800万円/年※ 募集要項に記載のレンジ。実額は選考で決まります
- 勤務地
- 山梨県中巨摩郡昭和町
- 雇用形態
- 正社員
- 働き方
- 記載なし
- 年間休日
- 120日
完全週休2日
仕事内容ハードウェアエンジニア
住友電工デバイス・イノベーション株式会社で、携帯電話基地局向けGaN HEMTデバイスの技術開発エンジニアを募集する。試作デバイスの特性評価とフィードバックを通じて、プロセス技術者・生産技術者と協議しながら量産デバイスの特性最大化・歩留改善・製品化まで伴走する。基礎学問の素養があれば未経験でも応募可能で、数年後には中核エンジニアとしての活躍が期待される。
仕事内容
- 試作デバイスの特性評価(高周波特性、DC特性、信頼性)とフィードバック
- デバイス特性の作り込み・歩留改善に向けたプロセス技術者・生産技術者との協議
- 量産立ち上げ、不具合解析、品質安定化
- 顧客要求仕様に応じたデバイス特性の最適化
- 扱う技術領域:化合物半導体(GaN、AlGaN、AlN、GaN on SiC等)、デバイス構造(HEMT構造、フィールドプレート、ゲート絶縁膜等)、応用(ポスト5G基地局向けパワートランジスタ)
- 開発フロー:顧客/社内からの要求仕様 → デバイス評価 → プロセス技術連携 → 試作 → 評価 → 製品化・量産展開
期待する役割・ミッション
- 入社後、教育体系と現場OJTを通じてGaN HEMTのデバイス設計・プロセス連携のスキルをキャッチアップ
- 数年後には部の中核エンジニアとして活躍することを期待
- 基礎学問の素養があれば、当社事業領域(化合物半導体・高周波デバイス)が未経験でも問題なし
キャリアパス
- 新卒採用を通じた若手エンジニア育成の経験を活かし、キャリア入社のポテンシャル層の育成に自信
- 住友電工グループ全社の教育プログラム、部内の技術教育、OJTを組み合わせた育成体系
- 数年かけて一人前のエンジニアへ成長
- 適性に応じて、将来的には技術リーダー層へのキャリアパスも開かれている
組織構成
- 電子デバイス事業部 電子デバイス第一開発部に所属
- GaN HEMTのデバイス技術開発、顧客向け製品開発、高周波パッケージ開発などの機能を擁する
- 本ポジションはGaN HEMTのデバイス技術開発を担う領域への配属を想定
- 山梨事業所を主な拠点とする
- 30代・40代前半のメンバーも多数在籍し、世代を超えたコミュニケーションが活発
本ポジションの魅力
- 材料・物性・通信を横断する「電子デバイスの総合格闘技」を若いうちから経験できる
- 世界的に需要が拡大する高周波パワーデバイスの量産・製品開発の最前線に関われる
- デバイス評価から歩留改善、顧客対応まで、製品を世に出す一連のプロセスに携われる
- 国内資本の大手メーカーとして安定した経営基盤のもと、腰を据えてじっくりチャレンジできる
- 住友電工グループの教育プログラムや部内OJTなど、人材育成を支える仕組みが整っている
募集要項最終確認 8/5
- 雇用形態
- 正社員
- 想定年収
- 450〜800万円/年
- 勤務地
- 山梨県中巨摩郡昭和町
- 働き方
- 記載なし
- 年間休日
- 120日
- 職種
- ハードウェアエンジニア
- 経験年数
- 不問
- 掲載日
- 7/3
- 最終確認
- 8/5
応募資格(必須)
- 大学または大学院で物理・物性/電気工学/電子工学/応用物理等を専攻された方
- 化合物半導体/高周波デバイス関連の実務経験をお持ちの方:GaN/GaAs/SiC等のデバイス開発、結晶成長、プロセス開発、高周波評価いずれかのご経験
- 研究経験をお持ちの方:化合物半導体・高周波デバイス・半導体物性に関する修士・博士論文テーマ、ポスドク経験
歓迎する経験
- 半導体デバイス(Si、化合物問わず)の設計・評価・プロセス経験
- 高周波(GHz帯)測定、電磁界シミュレーション(ADS、MWO等)の経験
- 英語または中国語による技術文書読解・コミュニケーション能力
待遇・福利厚生
- 企業年金・DC制度
- 定年65歳
- 屋内全面禁煙
- 年末年始休暇
- 特別休暇
- 社会保険完備
- 社員研修制度
- 資格取得支援
求めるスキル・経験
この求人は住友電工デバイス・イノベーション株式会社の採用ページの掲載内容をもとに構成しています。応募条件の最新情報は募集元をご確認ください。
山梨県のハードウェアエンジニアの求人
募集元の採用ページから応募できます
応募は住友電工デバイス・イノベーション株式会社の採用ページで受け付けています。このページは採用ページの掲載内容をもとに構成しているため、最新の応募条件は募集元でご確認ください。
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