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条件をクリア

高周波化合物半導体エピ結晶成長技術開発及び量産展開

住友電工デバイス・イノベーション株式会社

製造業 神奈川県横浜市栄区 企業サイト 掲載 7/3

給与

450〜800万円/年※ 募集要項に記載のレンジ。実額は選考で決まります

勤務地
神奈川県横浜市栄区
雇用形態
正社員
働き方
記載なし
年間休日
120日

完全週休2日

仕事内容化学・素材研究開発

5G/6G基地局向けGaN-HEMTデバイスの性能を左右するエピタキシャル結晶成長の技術開発および量産展開を担うポジションです。MOCVD等を用いた結晶成長プロセスの開発から量産ラインへの展開まで一貫して担当します。化合物半導体のエピタキシャル結晶成長経験やMOCVD、MBE等の技術経験を持つ方を求めています。

仕事内容

  1. GaN系化合物半導体のエピタキシャル結晶成長プロセスの技術開発
  2. MOCVD等を用いた結晶成長条件の最適化
  3. 新製品・新構造に対応する結晶成長技術の確立
  4. 量産ラインへの技術展開・歩留まり安定化
  5. 結晶品質の評価・解析
  6. エピタキシャル結晶成長を担うチームに配属し、技術開発と量産展開の両面に携わる
  7. プロセス開発やデバイス設計との連携が日常的にあり、エピ技術がデバイス性能に与える影響を直接確認できる環境

期待する役割・ミッション

  1. GaN-HEMTトランジスタのエピタキシャル結晶成長における技術開発と量産展開の中核メンバーとして活躍することを期待

キャリアパス

  1. 入社後OJTで当社固有技術にキャッチアップし、数年後には担当領域の技術リーダーとしての成長を期待
  2. 部門間異動の自由度が高く、ユニットプロセス、プロセスインテグレーション、エピ成長技術、モデリングなど幅広いキャリアパスが選択可能
  3. 要素技術のスペシャリストとして深めるキャリアと、リーダー・課長クラスとして全体を見る力を養うキャリアの両方が開かれている

組織構成

  1. 電子デバイス事業部 プロセス開発部に所属
  2. プロセスインテグレーション、ユニットプロセス開発、エピタキシャル結晶成長、モデリング・シミュレーション、素子設計・レイアウトといった要素技術機能が一つの部に集約
  3. 材料からトランジスタまで垂直統合された体制で機動的に技術開発を進める
  4. 部門間の垣根を越えた会話がしやすく、隣の技術領域で自分の成果がどう使われるかが見えやすい環境

本ポジションの魅力

  1. 5G/6G時代の無線通信インフラを最前線で支える事業
  2. GaN-HEMT業界で国内断トツのシェアと売上を持ち、海外のグローバル環境で活躍できる
  3. 住友電工グループのスケールメリットを生かし、継続的に事業を拡大
  4. 最終顧客と直接仕事ができるデバイスメーカーならではの顧客近接性
  5. シリコン半導体とは異なり、ユニットプロセスからインテグレーション、結晶成長、モデリングまでの要素技術が集約され、上流から下流まで全体を見渡しながら開発に取り組める
  6. 部門間異動の自由度が高く、総合力と広い視野を身につけられる
  7. 本人希望があれば顧客対応や製品の利用シーンにも視野を広げる機会がある
  8. 住友電工グループの一員として安定した経営基盤のもと長期的にキャリアを築ける
完全週休2日年間休日120日以上フレックス

募集要項最終確認 8/5

雇用形態
正社員
想定年収
450〜800万円/年
勤務地
神奈川県横浜市栄区
働き方
記載なし
年間休日
120日
職種
化学・素材研究開発
経験年数
不問
掲載日
7/3
最終確認
8/5

応募資格(必須)

  • 化合物半導体(GaN、GaAs等)のエピタキシャル結晶成長経験をお持ちの方
  • MOCVD、MBE等による結晶成長技術のご経験をお持ちの方
  • 半導体業界での経験があり、結晶成長技術に関心をお持ちの方(再教育可能)

歓迎する経験

  • GaN-HEMT向け結晶成長の開発経験
  • 高周波デバイスに関する知識
  • 量産展開・歩留まり改善のご経験
  • 結晶品質の評価・解析技術のご経験

待遇・福利厚生

  • 企業年金・DC制度
  • 屋内全面禁煙
  • 社会保険完備
  • 社員研修制度

求めるスキル・経験

GaNMBEMOCVDGaN-HEMT歩留まり改善解析技術

この求人は住友電工デバイス・イノベーション株式会社採用ページの掲載内容をもとに構成しています。応募条件の最新情報は募集元をご確認ください。

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