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三重県の求人771件

酸化物半導体を用いた次世代メモリの研究開発

550〜1260万円/年

※ 募集要項に記載のレンジ。実額は選考で決まります

下限は全国の研究職(応用研究員)の求人の中央値(570万円)より20万円低い

勤務地
三重県四日市市
休日
年間休日125日完全週休2日
雇用形態
正社員・契約社員

どんな仕事かAIによる生成

酸化物半導体デバイスおよび、それを用いた新規メモリ(低消費電力DRAM)の開発・製品化を担う研究開発職です。デバイス特性の原理構築、素子のモデル化と最適化、デザインルールの策定、国際学会を見据えたテクニカルデータの創出に携わります。

応募資格・募集要項・仕事内容を見る

この求人に応募

給与550〜1260万円/年

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応募は募集元の採用ページで受け付けています。当サイトに応募フォームはありません。

応募資格

必須

  • 下記いずれかのご経験・知見をお持ちの方

    • 酸化物半導体または次世代メモリに関する研究・デバイス開発のご経験
    • 液晶・有機ELディスプレイ向けにおける酸化物TFT(IGZO等)のデバイス開発・評価のご経験
    • シリコン系メモリ等におけるTCAD解析、またはデバイス設計・デザインルール策定の経験

歓迎

  • DRAM、NAND等の半導体メモリセル開発最適化、または製品開発経験
  • 薄膜トランジスタ(TFT)の薄膜物性・キャリア制御に関する深い知見および評価実績
  • 液晶・有機ELディスプレイ製品開発経験
  • チームリーダーの経験
  • ビジネスレベルの語学力(英語または中国語)

求める人物像

  • 共に業務に邁進頂ける方

使用ツール

DCテスターメモリテスター発光解析装置統計的解析ツール(Spotfire)Python

募集要項最終確認 10/17

職種
研究職(応用研究員)
雇用形態
・雇用形態:正社員(試用期間2か月、契約期間の定めなし)※場合により嘱託採用の可能性あり
給与
550〜1260万円/年
給与の詳細
給与:月給33.3万〜80万円(想定年収 550万〜1260万円)※上記の下限は初任給(学卒新人)です。経験・能力を考慮し決定その他:昇給年1回、賞与年2回(7月、12月)※管理職採用の場合、年俸制。フレックスタイム制、次世代育成手当、住宅費補助、時間外勤務手当は対象外
手当
次世代育成手当15,000円/月住宅費補助通勤手当時間外勤務手当在宅勤務手当
勤務地
四日市工場(三重県四日市市)
アクセス・通勤
車通勤可バイク通勤可
転勤
※配置転換や転勤・出向などの人事異動等により、就業場所を変更することがある。
働き方
在宅勤務地:1〜2日/週程度※業務事情による※在宅勤務制度利用者は、自宅その他在宅勤務制度実施基準で定める場所を含む
勤務時間
勤務時間 :8時30分〜17時15分(※休憩時間60分、フレックスタイム制)・平均残業時間:30時間/月
年間休日
125日
休日・休暇
年間休日125日(2026年度)完全週休2日制(土日)祝日GW夏季年末年始有給休暇赴任休暇介護休暇妊娠保護休暇看護等休暇等
福利厚生
寮・社宅:独身寮、単身寮、家族社宅在宅勤務制度財形貯蓄制度企業年金制度従業員持株制度OJT/メンター制度を中心に、部門内での充実した教育プログラムが用意されており、実践的なスキルを身に付けることができます。また、Web上で選択可能な多彩な教育システムも整っているため、自分のペースで学びたい内容を選び、キャリアアップに繋げることができます。さらに、社外研修受講も推奨しており、あなたの成長をサポートするための環境が整っています。
社会保険
健康保険、雇用保険、労災保険等
受動喫煙対策
敷地内禁煙(但し屋内喫煙可能場所あり)
業務の変更の範囲
その他会社が指示する業務
就業場所の変更の範囲
会社が指定する場所
学歴
大学卒業以上
選考の流れ
【Web面接実施中】
掲載日
2026/10/11 21:37(6日前)
最終確認
2026/10/17 01:41(今日)

仕事内容

採用背景

  • 3Dフラッシュメモリおよび新規メモリの開発を行っているキオクシアは、酸化物半導体トランジスタを用いた新しいDRAM(OCTRAM)技術の研究開発をしています。この技術は、AIやポスト5G情報通信システムで利用される大規模メインメモリが搭載されるサーバーやIoT製品などの幅広いアプリケーションにおいて低消費電力化を実現する可能性がございます。今般は、特に新規メモリの開発に向けて、メモリ開発経験のあるデバイス技術者を募集いたします。共に業務に邁進頂ける方の応募をお待ちしております。

組織のミッション

  • 組織全体:新規デバイス、新規メモリ開発を進め、キオクシアの将来の事業の柱となるデバイスを研究開発していく組織です。

お任せする業務

  • 新規メモリ(低消費電力DRAM)の開発、製品化

具体的な仕事内容

  • 以下のいずれかもしくは複数の業務に携わっていただきます。
  • 酸化物半導体デバイスの開発
  • 酸化物半導体デバイスを用いた新規メモリ(低消費電力DRAM)の開発
  • 1.デバイス特性の原理構築(物理の解明):酸化物半導体メモリの基本動作特性を物理層から解明し、メモリ素子としての動作を確立
  • 2.酸化物半導体素子のモデル化と最適化:TCAD解析を用いた高度なシミュレーションと試作結果の突合による素子構造/プロセスの最適化
  • 3.デザインルールの策定(設計ルール定義):将来の量産を見据え、安定的なデバイス構造の考案と設計ルールの定義
  • 4.グローバルプレゼンスの確立:ISSCCやIEDMなどの国際学会を見据えた、世界最先端のテクニカルデータの創出
  • ※ステークホルダー/関係者:先端技術研究所内やその関係部署のプロセス開発、回路設計、信頼性評価、プロジェクトマネージャーと密に連携しております。研究開発と製品化の橋渡しを担う、非常に裁量の大きな環境です。

使用ツール

  • 電気特性測定:DCテスター、メモリテスター
  • 物理・故障解析:発光解析装置
  • データ解析・可視化:統計的解析ツール(Spotfire)
  • 自動化・高度解析:Python

業務のやりがい・魅力

  • 既存のSi(シリコン)上デバイスとは異なる領域で培った「新規デバイス開発能力」は、次世代の半導体業界において、ご自身の圧倒的な希少価値(自己実現)へと繋がります。
  • 酸化物半導体を「メモリ素子」として成立させるための物理的基盤を、自らの手で築けます。
  • まだ誰も正解を知らない物理モデルを、自らの仮説と検証によって世界で初めて定義していくプロセスは、技術者として代えがたい経験となります。
  • データセンターの消費電力爆発が社会課題となる中、OCTRAMによる低消費電力化は、AI・ビッグデータ時代のインフラを支える解決策の一案となります。研究のための研究ではなく、数十年後の地球規模の課題解決に直結するデバイスを生み出すという、明確な社会的意義を感じながら開発に没頭できます。

キャリアパスイメージ

  • 酸化物半導体デバイス開発を通じて得られた知見をもとに、新規メモリ(低消費電力DRAM)の製品開発を行って頂き、製品開発のけん引をして頂く予定です。

入社後の教育/OJT 一例

  • OJT/メンター制度を中心に、部門内での充実した教育プログラムが用意されており、実践的なスキルを身に付けることができます。また、Web上で選択可能な多彩な教育システムも整っているため、自分のペースで学びたい内容を選び、キャリアアップに繋げることができます。さらに、社外研修受講も推奨しており、あなたの成長をサポートするための環境が整っています。

この求人は、キオクシア株式会社の採用ページの内容をAIが読み取って整理したものです。応募の前に採用ページの原文を確かめてください。データの集め方企業サイト

職種と勤務地が似ている求人三重県の研究職(応用研究員)

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応募はキオクシア株式会社の採用ページで受け付けています。このページは採用ページの掲載内容をもとに構成しているため、最新の応募条件は募集元でご確認ください。

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