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SiC/GaNパワー半導体のデバイスおよびプロセス研究開発
給与
550〜1100万円/年※ 募集要項に記載のレンジ。実額は選考で決まります
- 勤務地
- 愛知県豊田市
- 雇用形態
- 正社員
- 働き方
- ハイブリッド勤務
- 年間休日
- 非公開
仕事内容電気・電子設計エンジニア
SiC、GaNパワー半導体のデバイスおよびプロセスに関する研究開発を行うポジション。デバイス設計からプロセス開発、試作評価まで一貫して担当し、世界の電動化をリードする技術開発に携わる。パワー半導体またはプロセス開発の実務経験者を求める中途採用。
業務内容
- SiC、GaNパワー半導体(SiC-MOSFET、縦型GaN-MOSFET、横型GaN-HEMT)のデバイスおよびプロセスに関する研究開発
- SiCエピおよびGaNウェハ技術の研究開発
- パワーデバイスの企画、技術動向調査
- パワーデバイスのデバイスシミュレーション設計、構造設計、レイアウト設計
- パワーデバイスのプロセスシミュレーション設計、プロセス要素技術開発
- パワーデバイスのプロセスインテグレーション、工程設計
- パワーデバイス試作品のテスト、分析、評価解析
- パワーデバイス用ウェハ(GaN基板、SiCエピ成長)の技術開発
- パワーデバイス用加工装置の導入および改造
業務のやりがい・身につくスキル
- SiC、GaNパワー半導体に関する世界トップレベルのデバイス・プロセス技術が身につく
- CAE/CAD設計から試作・評価・解析までを一貫して経験でき、実践力を養える
- 自分たちで考えたデバイスを設計でき、専用の開発試作ラインでプロセス開発にチャレンジでき、試作品の評価解析まで一連の開発サイクルを回しながら研究開発を行える
- 社内外の専門家、大学、研究機関との連携/協働を通じ、専門性の深化、先端研究の実施と技術領域の拡張が可能
- 素子開発にとどまらず、パワーモジュール、インバータ開発部署、車両メーカと連携しながら広い視野で開発を進められる
- 地球温暖化の抑制という社会課題解決に貢献でき、やりがいを感じられる
募集背景
- モビリティの電動化が世界的に加速しており、SiC・GaNパワー半導体は電費向上や小型・高効率化を実現するキーデバイスとして開発競争が激化
- 当部では低損失・高信頼性・量産性を両立したSiC・GaNパワー半導体の実現を目指し、デバイス設計からプロセス、評価解析まで一貫した研究開発を推進
- 従来手法にとらわれず技術課題の本質を捉えた打ち手を自ら設計できる専門人材の重要性が高まっており、パワー半導体またはプロセス開発の実務経験を有するキャリア人材を迎え開発テーマの中核を担ってもらう
職場情報
- 当部署は電動車の商品力を左右するSiC・GaNパワー半導体についてデバイスの企画・設計からプロセス加工技術開発までを一貫して担う
- 低損失・高品質を兼ね備えたパワー半導体を他社に先駆けて実用化することをミッションに研究開発を推進
- 年齢や役職にとらわれず意見や専門性を尊重しながら議論できる相談しやすい風土
- キャリア入社比率:約30%
- 在宅勤務:週1~2回程度
募集要項最終確認 9/15
- 雇用形態
- 正社員
- 想定年収
- 550〜1100万円/年
- 勤務地
- 愛知県豊田市
- 働き方
- ハイブリッド勤務
- 年間休日
- 非公開
- 職種
- 電気・電子設計エンジニア
- 経験年数
- 不問
- 掲載日
- 7/25
- 最終確認
- 9/15
応募資格(必須)
- 半導体に関する知識を有すること
- 半導体デバイスの設計、評価、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験(研究開発、量産経験は問いません)
歓迎する経験
- パワー半導体に関する知識を有すること
- 半導体デバイス設計、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験(3年以上)
- 半導体加工設備の導入および改造経験
- プロジェクトマネージャ、リーダまたはサブリーダの経験者
求めるスキル・経験
この求人は株式会社デンソーの採用ページの掲載内容をもとに構成しています。応募条件の最新情報は募集元をご確認ください。
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募集元の採用ページから応募できます
応募は株式会社デンソーの採用ページで受け付けています。このページは採用ページの掲載内容をもとに構成しているため、最新の応募条件は募集元でご確認ください。
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