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300mmパワーデバイス開発エンジニア
- 給与
- 記載なし
- 勤務地
- 茨城県ひたちなか市
- 休日
- 記載なし
- 雇用形態
- 正社員
- オフィス出社
どんな仕事かAIによる生成
自動車向けおよびAI向け半導体デバイスの開発と製造プロセス開発を強化するための募集です。200mmから300㎜への大口径化技術の構築、ウェハプロセス開発、デバイス構造設計や測定評価などを担当します。デバイス設計からプロセス開発、量産立ち上げまで幅広く関与します。
この求人に応募
応募資格
必須
- 半導体デバイス構造設計やプロセス開発経験 5年以上（半導体物理の基礎知識、ウェハプロセス試作経験）
- 半導体デバイス開発未経験の方でも当分野トップレベルのエンジニアとしてスキルアップに取り組める方
- 日本語：ビジネスレベル
歓迎
- ウエハレベル電気特性測定スキル
- TEG（Test Element Group）レイアウト設計スキル
- 英語：日常会話レベル
募集要項最終確認 10/23
- 職種
- 研究職（応用研究員）
- 雇用形態
- Full-time
- 給与
- 記載なし
- 勤務地
- 茨城県ひたちなか市
- 働き方
- リモート No
- 経験年数
- 5年以上
- 掲載日
- 2026/10/20 23:06（3日前）
- 最終確認
- 2026/10/23 02:51（今日）
仕事内容
募集内容
- 本ポジションでは現在複数名の採用を予定しております。同一内容の求人が複数掲載されている場合がございますが、ご応募は1件のみで問題ございません。ご応募内容は採用チームにて一括で確認させていただきます。
募集背景
- 当社では、自動車向けの新規半導体デバイスに加え、今後の成長領域としてAI向け半導体デバイスの開発に注力しています。これらの製品に用いられる半導体デバイス開発および製造プロセス開発を強化するため、人材を募集します。デバイス設計からプロセス開発、量産立ち上げまで幅広く関与し、製品価値の最大化に直接貢献していただきます。
半導体デバイス・プロセス開発
- 200mmから300㎜への大口径化技術の構築
- 構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア
- デバイス構造設計やウエハプロセスフロー構築及びデバイス測定評価
- 要素プロセス技術、製品設計、品質保証など多部門との連携
- ※就業場所の変更の範囲、従事すべき業務の変更の範囲については、選考時に詳細をお伝えいたします。
この求人は、ルネサスエレクトロニクス株式会社の採用ページの内容をAIが読み取って整理したものです。応募の前に採用ページの原文を確かめてください。データの集め方企業サイト
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応募はルネサスエレクトロニクス株式会社の採用ページで受け付けています。このページは採用ページの掲載内容をもとに構成しているため、最新の応募条件は募集元でご確認ください。