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化合物半導体ウエハプロセスのエピタキシャル成長技術開発
給与
500〜1100万円/年※ 募集要項に記載のレンジ。実額は選考で決まります
- 勤務地
- 兵庫県伊丹市
- 雇用形態
- 正社員
- 働き方
- ハイブリッド勤務
- 年間休日
- 125日
仕事内容化学・素材研究開発
化合物半導体ウエハプロセスのエピタキシャル成長技術開発を担当する正社員求人。InP/GaAs/GaN系の結晶成長・評価・量産化まで一貫して行い、将来的にはリーダー/マネージャーとしてグループを牽引する。必須要件は工学系修士以上、化合物半導体の結晶成長・評価経験3年以上など。勤務地は兵庫県伊丹市。
職務内容
- 光通信用途を始めとしたデバイス開発を支える化合物半導体エピタキシャル成長技術開発を担当
- 結晶品質および量産安定性の最適化を目指し、設計・実験・解析・量産導入までを一貫して行う
- InP/GaAs/GaN 系のIII-V 族化合物半導体のエピタキシャル成長・MOCVD装置を用いたエピタキシャル成長
- エピ成長条件(温度、圧力、V/III 比、キャリアガス流量)の設定・調整
- デバイス仕様に応じたエピ構造の実現(量子井戸層、ヘテロ障壁層、ドーピング制御 など)
- 薄膜の評価および解析(XRD、SIMS、PL、TEM、SEM など)
- エピ成長条件の最適化と再現性向上、量産ラインでの再現性確保
- 新規材料/構造のプロセス開発(多重量子井戸(MQW)構造の開発など)
- 将来的には、エピタキシャル成長技術のリーダー/マネージャーとしてグループの牽引
組織のミッション
- 本部・事業部(高周波光デバイス製作所)は国内・海外顧客並びに社内部門に対する高周波デバイス製品・光デバイス製品の販売・開発を行う
- ウエハ製造部は高周波デバイス・光デバイスの半導体ウエハ製造、エピ/プロセスの生産技術、要素技術開発を担当
- エピ技術課は高周波デバイス・光デバイスのエピ構造開発、エピ量産技術を担当
業務の魅力
- 原子オーダーで薄膜を制御するエピタキシャル成長技術は世界トップクラスのシェアを持つ光通信デバイスの性能を支える中核技術
- 「光」を生み出す最上流工程を担うことができる
- 成長条件の最適化から量産化まで、自ら設計したプロセスが製品性能に直結する
- 理論(量子力学・固体物理)を実装に落とし込む高度なエンジニアリングを実践できる
事業/製品の強み
- 当所の製品デバイスは、データセンター向け光デバイスで世界トップシェアを誇る実績を持つ
- 5G/6G・衛星通信などにも製品を展開している
職場環境
- 残業時間:月平均20時間/繁忙期35時間
- 出張:有(年数回)
- 転勤可能性:有(所内移動メイン、所外は稀)
- リモートワーク:有(週3日程度利用可能)
- 中途社員の割合:約10%
想定されるキャリアパス
- エピ成長の技術開発と量産管理のとりまとめ業務を経て、成果と能力次第で管理職に登用
- エピ成長技術をベースに、プロセス要素技術や製品設計に携わるキャリアプランも可能
募集要項最終確認 9/10
- 雇用形態
- 正社員
- 想定年収
- 500〜1100万円/年
- 勤務地
- 兵庫県伊丹市
- 働き方
- ハイブリッド勤務
- 年間休日
- 125日
- 職種
- 化学・素材研究開発
- 経験年数
- 3年以上
- 掲載日
- 7/3
- 最終確認
- 9/10
応募資格(必須)
- 工学系修士以上または同等の専門知識・スキルを有する方
- 化合物半導体(InP, GaAs, GaNなど)の結晶成長・評価経験に関する実務または研究(3年以上)
- MOCVD、MBEなどの結晶成長装置の操作・プロセス設計経験
- 物性物理、量子力学、電磁気学に関する基礎知識
歓迎する経験
- 光通信デバイス、高周波デバイスなどの開発経験
- 成膜・エッチング・評価など周辺プロセスの知識
- 英語スキル(論文調査、海外メーカーとの技術ディスカッションなど)
- Python等を用いたデータ解析やプロセス制御スクリプト経験
待遇・福利厚生
- 家族手当
- 福利厚生パッケージ
求めるスキル・経験
この求人は三菱電機株式会社の採用ページの掲載内容をもとに構成しています。応募条件の最新情報は募集元をご確認ください。
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募集元の採用ページから応募できます
応募は三菱電機株式会社の採用ページで受け付けています。このページは採用ページの掲載内容をもとに構成しているため、最新の応募条件は募集元でご確認ください。
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