応用研究員条件を変える閉じる
次世代パワー半導体GaNの結晶成長技術開発担当者
給与
43.6〜80.8万円/月※ 月給提示。年額は賞与を含まないため算出していません
- 勤務地
- 茨城県
- 雇用形態
- 正社員
- 働き方
- ハイブリッド勤務
- 年間休日
- 非公開
仕事内容応用研究員
三菱ケミカル株式会社にて、次世代パワー半導体GaNの結晶成長技術開発を担当するポジション。中長期の技術開発・新製品創出を担う「攻めの研究開発」を行い、次世代基板の結晶成長技術開発や既存製品の歩留り改善に従事する。経験者は即戦力として、関連分野出身の若手も先輩のサポートのもと成長できる環境。GaN基板事業の拡大に伴う増員募集。
職務内容
- 次世代パワー半導体である窒化ガリウム（GaN）の気相法による結晶成長技術開発を担当する。
- 中長期的な視点で、次世代製品（大口径基板・低欠陥密度基板・低抵抗品基板等）の新製品開発に重きを置いた開発業務を行う。
- 新製品の結晶成長技術開発：大口径・低欠陥密度・低抵抗品など、次世代基板の結晶成長技術を創り上げる。
- 既存製品の歩留り改善や品質安定化：結晶成長起因の不良に対し、原因解析からプロセス改善まで一気通貫で歩留まり向上を図る。
- 基礎検討から量産化まで開発の全工程に関与し、自らのアイデアを製品として世に送り出す。
- 社内の加工・デバイス部門や生産現場とも連携し、技術の上流から下流までを俯瞰できる。
- 半導体前工程グループにて、結晶成長・ウエハ加工等の開発メンバーと協働する。30～40代を中心とした比較的若く風通しの良いチーム。
- GaN基板事業の拡大・次世代製品の開発強化に伴う募集。
このポジションの魅力
- 脱炭素・省エネ社会の実現に向けて世界的に需要が拡大する次世代パワー半導体「GaN（窒化ガリウム）」の心臓部となる高品質GaN基板の結晶成長技術開発を最前線でリードする。
- 「より大口径に」「より高品質に」「より低コストに」という未踏領域に挑み、自らの技術が製品となり社会を動かす手応えを味わえる。
- 結晶成長は「材料の根幹」を司る奥深い技術領域で、装置・プロセス・解析・品質まで幅広い知見が身につき、化合物半導体のスペシャリストとして市場価値の高いキャリアを築ける。
- 会社としての注力（戦略）事業であり、データセンター・パワーエレクトロニクス用途、レーザーダイオード等のオプトエレクトロニクス用途、パワーエレクトロニクス用途、いずれも成長が続いており投資を継続している。
募集要項最終確認 8/5
- 雇用形態
- 正社員
- 想定年収
- 43.6〜80.8万円/月
- 勤務地
- 茨城県
- 働き方
- ハイブリッド勤務
- 年間休日
- 非公開
- 職種
- 応用研究員
- 経験年数
- 不問
- 掲載日
- 7/18
- 最終確認
- 8/5
応募資格（必須）
- 学歴：学士以上
- 化合物半導体の結晶成長技術開発、もしくは結晶成長・薄膜成長に関連する技術開発の経験
歓迎する経験
- 学歴：修士以上
- 専攻：物理、化学、化学工学、材料科学、機械工学、電気・電子工学（特に化合物半導体の結晶成長を専攻していた方）
- 経験業界（年数）：３年以上
- GaN（窒化ガリウム）の結晶成長技術開発、ウエハ加工等の経験（即戦力として特に歓迎）
- 語学力：英語
待遇・福利厚生
- カフェテリアプラン
- キャリア自己申告制度
- グループ団体保険
- 介護保育手当
- 勤務地希望制度
- 勤務地継続制度
- 慶弔見舞金
- 社会保険完備
- 社宅・寮
求めるスキル・経験
この求人は三菱ケミカル株式会社の採用ページの掲載内容をもとに構成しています。応募条件の最新情報は募集元をご確認ください。
茨城県の応用研究員の求人
募集元の採用ページから応募できます
応募は三菱ケミカル株式会社の採用ページで受け付けています。このページは採用ページの掲載内容をもとに構成しているため、最新の応募条件は募集元でご確認ください。
この求人と近い条件で探す数字はリンク先ページの掲載件数
この職種で探す
この勤務地で探す
働き方・年収で探す
- 年収500万以上22,663
- 年収600万以上13,681
- フレックス19,708
- 完全週休2日31,016
- 年間休日120日以上27,659