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次世代パワー半導体GaNのフォトリソグラフィ工程プロセス開発担当者
給与
43.6〜74.4万円/月※ 月給提示。年額は賞与を含まないため算出していません
- 勤務地
- 茨城県つくば市
- 雇用形態
- 正社員
- 働き方
- ハイブリッド勤務
- 年間休日
- 非公開
完全週休2日
仕事内容生産技術エンジニア
次世代パワー半導体GaNのフォトリソグラフィ工程プロセス開発担当者を募集。GaN基板製造の下地工程におけるプロセス改善・生産技術の確立を担当し、プロセス開発・条件最適化、評価データ解析、エピタキシャル成長技術の開発などを行う。半導体・電子部品・化学・材料業界での製造または開発・生産技術の実務経験3年以上が必須。将来の技術リーダーやマネジメント職へのキャリアパスが想定されている。
職務内容
- GaN基板製造の下地工程(種結晶=シードの作製)におけるフォトリソグラフィ工程を中心に、プロセス改善・生産技術の確立を担当する。
- プロセス開発・条件最適化:フォトリソグラフィー工程やドライエッチング工程の条件検討及び最適化を行い、高品質なGaN基板を安定的に生み出す。
- 評価データ、プロセスデータの解析、解析技術の開発:自ら作成したサンプルを評価・解析し、結果を製造プロセスへ反映させる。
- 化合物半導体のエピタキシャル成長技術の開発、国内外の社外委託先検討及び技術開発:MOCVD等による薄膜形成の経験も活かせる。
- 世界を変える技術の最前線に立ち、GaNはEVやデータセンターなど社会の基盤を支えるパワーエレクトロニクス分野で普及が見込まれている。
- 「作る技術」をゼロから確立する面白さ:量産の壁に挑み、自ら製造条件を調整し、現場を巻き込みながら課題を解決していく。
- 幅広い専門性とリーダーシップを発揮する機会:基礎的な検討から量産化まで、多様な工程・技術に携わり、チームを牽引するリーダーシップも磨ける。
- キャリアパス:将来の技術リーダー、あるいはマネジメント職へのキャリアパスを想定している。
募集の背景
- GaN基板は顧客から極めて高い評価を得られ、実用化フェーズに到達しており事業拡大を加速している。
- EVやデータセンター、通信基地局など、急成長するパワーエレクトロニクス市場からの期待は高く、さらなるシェア拡大に向けた量産化の推進が急務。
- GaN基板の需要急増に伴う業務拡大及び事業加速のための増員募集。
- 当工程の技術継承を担い、将来的にチーム・組織を牽引いただける方を求めている。
テレワークの利用頻度
- 週1日程度のテレワークが可能。
- 製造現場と密接に連携するポジションのため、稼働状況によっては出社が基本となるが、データ取りまとめ等は在宅勤務も可能。
募集要項最終確認 8/5
- 雇用形態
- 正社員
- 想定年収
- 43.6〜74.4万円/月
- 勤務地
- 茨城県つくば市
- 働き方
- ハイブリッド勤務
- 年間休日
- 非公開
- 職種
- 生産技術エンジニア
- 経験年数
- 3年以上
- 掲載日
- 7/18
- 最終確認
- 8/5
応募資格(必須)
- 学歴:高等専門学校卒、または大学卒以上
- 専攻:理工系(物理、化学、化学工学、材料科学、機械工学、電気・電子工学 等)
- 経験業界(年数):半導体・電子部品・化学・材料いずれかの業界における製造ないしは開発・生産技術の実務経験(目安3年以上)
- 半導体材料(GaN、SiC、Si、サファイア、脆性材料等)のフォトリソグラフィプロセスの経験
- 金属膜、酸化膜等の成膜技術(プラズマCVDやスパッタ等)
- 半導体材料のフォトリソグラフィ技術・成膜技術の専門知識を有する
- 製造現場(オペレーター)を巻き込み、指示書をもとに工程を動かしていけるコミュニケーション力
- 安全を最優先に業務を遂行する意識
歓迎する経験
- 化合物半導体(GaN、SiC等)のデバイス・基板の開発/量産に携わった経験
- 化合物半導体の結晶成長技術(MOCVD等)の経験
- 化合物半導体の評価技術、熱・流体・構造の計算機シミュレーションの経験
- 将来的にチームを牽引するリーダー/マネジメントを志向される方(技術者でありながらマネジメントにも意欲のある方)
- 語学力:英語
待遇・福利厚生
- カフェテリアプラン
- キャリア自己申告制度
- グループ団体保険
- 介護保育手当
- 勤務地希望制度
- 勤務地継続制度
- 慶弔見舞金
- 社会保険完備
- 社宅・寮
求めるスキル・経験
この求人は三菱ケミカル株式会社の採用ページの掲載内容をもとに構成しています。応募条件の最新情報は募集元をご確認ください。
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