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次世代パワー半導体GaNのフォトリソグラフィ工程プロセス開発担当者
43.6〜74.4万円/月
※ 月給提示。年額は賞与を含まないため算出していません
- 勤務地
- 茨城県
- 休日
- 土曜日
- 雇用形態
- 正社員
どんな仕事かAIによる生成
GaN基板製造の下地工程におけるフォトリソグラフィ工程を中心に、プロセス改善・生産技術の確立を担当します。工程条件の検討・最適化、評価・解析結果の製造プロセスへの反映、化合物半導体のエピタキシャル成長技術の開発や社外委託先の検討などを行います。
この求人に応募
応募資格
必須
- 学歴：高等専門学校卒、または大学卒以上
- 専攻：理工系（物理、化学、化学工学、材料科学、機械工学、電気・電子工学 等）
- 経験業界（年数）：半導体・電子部品・化学・材料いずれかの業界における製造ないしは開発・生産技術の実務経験（目安3年以上）
下記のいずれかの実務経験（GaNに関する経験は特に歓迎。最先端の知見は不問で、基礎的なプロセス技術があれば可）
- 半導体材料（GaN、SiC、Si、サファイア、脆性材料等）のフォトリソグラフィプロセスの経験
- 金属膜、酸化膜等の成膜技術（プラズマCVDやスパッタ等）
下記の能力を保有している方
- 半導体材料のフォトリソグラフィ技術・成膜技術の専門知識を有する
- 製造現場（オペレーター）を巻き込み、指示書をもとに工程を動かしていけるコミュニケーション力
- 安全を最優先に業務を遂行する意識
歓迎
- 専攻：物理、化学、化学工学、材料科学、機械工学、電気・電子工学
- 経験業界（年数）：化合物半導体（GaN、SiC等）のデバイス・基板の開発／量産に携わった経験
経験職種（年数）・経験内容：
- 化合物半導体の結晶成長技術（MOCVD等）の経験
- 化合物半導体の評価技術、熱・流体・構造の計算機シミュレーションの経験
- 語学力：英語
求める人物像
- 将来的にチームを牽引するリーダー／マネジメントを志向される方（技術者でありながらマネジメントにも意欲のある方）
募集要項最終確認 10/16
- 職種
- 生産技術
- 雇用形態
- 正社員（雇用契約期間の定めなし・三菱ケミカルグループ(株)のグループ各社への在籍出向あり）■試用期間：６ヶ月
- 役職
- リーダー候補～リーダー
- 給与
- 43.6〜74.4万円/月
- 給与の詳細
- 月給：436,000～744,000円参考年収：7,499,200～12,898,800円残業20H/月込参考年収：8,363,440～12,898,800円※等級・グレードによっては時間外管理監督外となるため残業代の支給はございません。
- 手当
- 通勤費補助制度
- 勤務地
- 茨城県
- 転勤
- 会社の定める事業拠点（テレワークを行う場所を含む）
- 働き方
- 週1日程度のテレワークが可能です。製造現場と密接に連携するポジションのため、稼働状況によっては出社が基本となりますが、データ取りまとめ等は在宅勤務も可能です。
- 勤務時間
- 定時 8:30～17:15時間外労働：あり
- 休日・休暇
- 土曜日日曜日国民の祝日年末年始その他年次有給休暇特別休暇（忌引、結婚等）積立年次有給休暇 等
- 福利厚生
- 退職給付制度独身寮単身赴任寮カフェテリアプラン介護支援金弔慰金団体保険定年制度：65歳（60歳から変更。2022年4月度より）社内公募制度キャリアチャレンジ制度勤務地継続制度勤務地希望制度※勤務地継続制度は管理職のみ
- 社会保険
- 健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険 等
- 受動喫煙対策
- 原則、就業場所をとわず、就業時間内全面禁煙
- 業務の変更の範囲
- 会社の定める職務
- 就業場所の変更の範囲
- 会社の定める事業拠点（テレワークを行う場所を含む）
- 経験年数
- 3年以上
- 学歴
- 短大・高専卒業以上
- 掲載日
- 2026/07/19 00:21（90日前）
- 最終確認
- 2026/10/16 15:30（1日前）
仕事内容
職務内容
- 世界が注目される次世代パワー半導体「窒化ガリウム（GaN）」の「量産化」をリードしませんか？
- 次世代パワー半導体GaNは、EVやデータセンターの省エネ・小型化に不可欠なキーデバイスです。
- 当社は高品質かつ低コストな大口径GaN基板の安定供給を目指しています。
- 本ポジションでは、GaN基板製造の下地工程（種結晶＝シードの作製）におけるフォトリソグラフィ工程を中心に、プロセス改善・生産技術の確立をご担当いただきます。
- 具体的には以下の通りです。
プロセス開発・条件最適化
- GaN（窒化ガリウム）基板の製造プロセスにおける、フォトリソグラフィー工程やドライエッチング工程の条件検討及び最適化を行い、高品質なGaN基板を安定的に生み出すダイナミックな業務です。サファイア基板へのMOCVDによる薄膜形成後、プラズマCVDによるマスク形成、フォトレジスト塗布、パターニング、現像、ドライエッチング、レジスト除去までの一連の工程を扱います。マスクの形状・幅・高さ・材質はその後のHVP結晶成長の品質に直結するため、条件検討・最適化がこの技術の核心です。
評価データ、プロセスデータの解析、解析技術の開発
- 自ら作成したサンプルを評価・解析し、結果を製造プロセスへ反映させます。
- 専門的な知見を活かした高度な解析が、世界最高水準の製品の品質向上に直結する重要な役割です。
化合物半導体のエピタキシャル成長技術の開発、国内外の社外委託先検討及び技術開発
- MOCVD等による薄膜形成の経験も大いに活かせる環境です。
世界を変える技術の最前線に立つ
- GaNはEVやデータセンターなど、社会の基盤を支えるパワーエレクトロニクス分野で爆発的な普及が見込まれています。省エネ・小型化という社会課題を解決するキーデバイスの根幹を、技術で支えることができます。「次世代のインフラ」を社会へ実装する醍醐味を感じられるポジションです。
「作る技術」をゼロから確立する面白さ
- 「どうすれば高品質なものを安定して大量に作れるか」という量産の壁に挑むポジションです。
- 出来上がったマニュアル通りに動かすのではなく、「どうすればもっと効率よく、高品質に作れるか」を自ら考え、量産技術を創り上げていく醍醐味があります。自ら製造条件を調整し、現場を巻き込みながら課題を解決していく、あなたのアイデアと経験が、新たな標準プロセスを生み出します。
幅広い専門性とリーダーシップを発揮する機会
- 基礎的な検討から量産化まで、多様な工程・技術に携わる中で、専門性を深めるだけでなく、チームを牽引するリーダーシップも磨けます。若手育成や国内外の社外委託先との連携を通じて、技術とマネジメントの両面でキャリアを加速させることが可能です。
募集の背景
- 当社が手掛ける「窒化ガリウム（GaN）基板」は顧客から極めて高い評価を得られ、実用化フェーズに到達しており事業拡大を加速しています。EV（電気自動車）やデータセンター、通信基地局など、急成長するパワーエレクトロニクス市場からの期待は高く、さらなるシェア拡大に向けた量産化の推進が急務です。この成長フェーズにおいて、中心的役割を担い、当社の技術的優位性をさらに盤石にする仲間を求めています。
キャリアパス
- 本ポジションは、将来の技術リーダー、あるいはマネジメント職へのキャリアパスを想定しています。専門性を極めるだけでなく、チームやプロジェクトを牽引する役割を担い、当社のGaN事業をさらに発展させる中核人材としてご活躍いただけます。
募集背景
- GaN基板の需要急増に伴う業務拡大及び事業加速のための増員募集です。GaN事業は実用化フェーズに到達し売上が急拡大しており、量産化を加速するための中核人材を募集しています。あわせて、当工程の技術継承を担い、将来的にチーム・組織を牽引いただける方を求めています。
テレワークの利用頻度
- 週1日程度のテレワークが可能です。製造現場と密接に連携するポジションのため、稼働状況によっては出社が基本となりますが、データ取りまとめ等は在宅勤務も可能です。
将来的に従事する可能性のある職務内容
- 会社の定める職務
この求人は、三菱ケミカル株式会社の採用ページの内容をAIが読み取って整理したものです。応募の前に採用ページの原文を確かめてください。データの集め方企業サイト
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