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次世代光半導体デバイス向けシリコンフォトニクス技術開発（光デバイス製造改革チーム）
給与
記載なし※ 募集要項に金額の記載がありません
- 勤務地
- 千葉県
- 雇用形態
- 記載なし
- 働き方
- 記載なし
- 年間休日
- 記載なし
要約求人票をもとにAIがまとめたものです
次世代光半導体デバイスに用いるシリコンフォトニクスと周辺技術の開発を担当します。シリコンフォトニクスの設計・試作・特性評価や、変調デバイスとの電気・光学接続を含む実装技術開発を行います。
応募資格
必須
- 光デバイス関連の設計経験と半導体作製プロセスの知識
- シリコンフォトニクスの設計・試作・特性評価経験（フォトディテクタ・偏波ダイバーシティを含むパッシブ要素光素子）
- 変調デバイス-シリコンフォトニクス間の電気・光学接続を含む実装技術開発経験
- 大学レベルの数学、物理、化学の知識
- コミュニケーションスキル（自分と意見の合わない人でも、意見を聞き出せ、場をうまくまとめられる）
- PC、ソフト使用出来るスキル（Webアクセス、Excel、Word、PowerPoint）
- プレゼンテーションスキル（DesignReview推進）
歓迎
- TOEIC600点以上（スコアは目安、海外企業とのやり取りで使用します）
- シリコンフォトニクス（フォトディテクタ、光導波路）の設計、電気・光学接続を含む実装開発経験
- 半導体デバイスシミュレータ (TCADツール)、光学解析ソフトウェア、CAD、プログラミング（VBAマクロ、python、C++など）、BIツール（Spotfireなど）などの使用経験
募集要項最終確認 10/2
- 職種
- 応用研究員
- 雇用形態
- 記載なし
- 給与
- 記載なし
- 勤務地
- 千葉県
- 働き方
- 記載なし
- 掲載日
- 2026/07/05 00:55（89日前）
- 最終確認
- 2026/10/02 16:45（今日）
仕事内容
配属予定部署
- 次世代フォトニクス事業創造プロジェクトチーム 光デバイス製造改革チーム
業務内容
- 次世代光半導体デバイスに用いるシリコンフォトニクスと周辺技術の開発。
- シリコンフォトニクスの設計・試作・特性評価（フォトディテクタ・偏波ダイバーシティを含むパッシブ要素光素子）。
- 変調デバイス-シリコンフォトニクス間の電気・光学接続を含む実装技術開発。（シリコンフォトニクス外部ファブとの交渉、試作テープアウト経験。）
- 共同研究先・関係部署との連携。
当課のミッション
- 次世代光半導体デバイスのプロセス開発プロセス工程設計、評価解析、歩留まり向上、要素技術検討
当ポジションで働くやりがい
- 新製品に関する技術をゼロから作り上げるため、やりがいや達成感は非常に大きい。
- 課題や未知の事項も多く、積極的な姿勢を求める環境にあり、やりたいことにチャレンジできる。
- 基礎的な研究から製品化に近い開発まで、実際の試作品を触りながら取り組むことができる。
将来的なキャリアパス（5~10年）
- 開発業務にて経験を積んだ上で、自分が開発した製品の事業化などに関わるキャリアパスがあります。
- 配属課内での担当経験を経て、5〜10年で課内のリーダとなることが期待されます。
この求人は古河電気工業株式会社の採用ページの掲載内容をもとに構成しています。応募条件の最新情報は募集元をご確認ください。
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