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プロセス・デバイス設計開発

給与
記載なし
勤務地
北海道千歳市
休日
年間休日121日完全週休2日
雇用形態
記載なし

どんな仕事かAIによる生成

半導体事業部にて、パワー半導体のプロセス・デバイス開発およびディスクリート製品開発、アナログ半導体のプロセス・デバイス開発に携わります。経験に応じてシミュレーションやデバイス評価、Spiceパラメータ抽出などからスタートし、将来的には製品の企画・仕様検討まで担当します。

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給与記載なし

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応募資格

必須

歓迎

  • IGBT、FRD開発設計経験(a)
  • 半導体プロセス/デバイス開発経験(b)
  • プロセス/デバイスシミュレーション経験(c)
  • SiCプロセス/デバイス開発経験シミュレーションツール(c)

使用ツール

Spice

募集要項最終確認 10/4

職種
研究職(応用研究員)
雇用形態
試用期間3ヶ月
給与
記載なし
給与の詳細
昇給年1回、賞与年2回(6月、12月)
手当
交通費
勤務地
北海道千歳市泉沢1007-39
働き方
育児・介護・妊娠・傷病の事由による在宅勤務制度※試用期間中(3ヶ月間)は対象外
勤務時間
・所定労働時間:8:30 ‐ 17:15(休憩1時間 / 実働7時間45分)・フレックスタイム制あり:コアタイム 10:10 - 15:00:フレキシブルタイム 07:00 -10:10、15:00 - 22:00 ※試用期間中(3ヶ月間)は対象外
年間休日
121日
休日・休暇
完全週休2日制(当社カレンダーによる)年間休日121日年末年始休暇年次有給休暇慶弔休暇ライフサポート休暇特別休暇
福利厚生
確定企業年金、確定拠出年金、財形貯蓄、従業員持株会社員食堂、保養所育児・介護・妊娠・傷病の事由による在宅勤務制度※試用期間中(3ヶ月間)は対象外定年65歳
社会保険
社会保険完備(雇用、労災、健康、厚生年金)
掲載日
2026/10/03 22:48(3日前)
最終確認
2026/10/04 22:18(2日前)

仕事内容

職務内容

  • 半導体事業部にて
  • パワー半導体に代表される、Si-IGBTやSiC-MOSFETのプロセス・デバイス開発およびディスクリート製品開発
  • アナログ半導体のプロセス・デバイス開発
  • 上記業務に携わっていただきます。

パワー半導体領域

  • (1)プロセス/デバイスシミュレーション
  • (2)マスクパターン設計
  • (3)デバイス評価(電気的特性、信頼性など)
  • (4)製品仕様検討
  • (5)製品試作・評価 など

アナログ半導体領域

  • (6)Spiceパラメータ抽出
  • (7)プロセス/デバイスシミュレーション
  • ※ご経験に応じて以下の業務(1〜3、6〜7)からスタートし、将来的には製品の企画・仕様検討(4〜5)まで幅広くお任せします。

やりがい・魅力

  • 電気自動車(EV)や再生可能エネルギーの普及に不可欠な「パワー半導体」という、社会貢献度の極めて高い分野に携われます。次世代素材(SiC)を用いた最先端開発に深く関わることで、技術者としてのスキルが高められる環境です。
  • アナログ半導体開発において、Spiceパラメータ抽出はシミュレーションの信頼性を決定づける極めて重要な工程です。ご自身が抽出したモデルが設計のベースとなり、製品の低消費電力化やノイズ低減といった「アナログ回路の命」を支える、技術的な手応えを実感できます。デジタル化・電動化が進む現代においてアナログ・パワー半導体市場は今後も右肩上がりの成長が見込まれています。当社は確かな技術基盤を持ち、国内のみならずグローバル展開も加速させているため、安定性と挑戦しがいのある成長性の両面を享受できます。

経験を積んだ後のキャリアパス

  • パワー半導体製品の開発プロジェクトリーダや新規プロセス/デバイス開発業務の取り纏めなど適正を考慮して管理職へのステップアップも考えています。

この求人は、ミネベアミツミ株式会社の採用ページの内容をAIが読み取って整理したものです。応募の前に採用ページの原文を確かめてください。データの集め方企業サイト

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