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東京都の研究職(応用研究員)の求人123件

研究開発◇次世代半導体/SiC, GaNの研究開発

600〜950万円/年

※ 募集要項に記載のレンジ。実額は選考で決まります

下限は東京都の研究職(応用研究員)の求人の中央値(639万円)より39万円低い

勤務地
東京都日野市
休日
年間休日126日完全週休2日
雇用形態
正社員

どんな仕事かAIによる生成

車載向けや産業用向け等で需要が高まると見込まれているパワー半導体事業の研究開発(基礎研究)ポジションです。先端技術研究所 次世代半導体研究センターにて、SiC、GaN等の次世代半導体材料を用いたパワーデバイスの開発業務、物性解析、プロセス開発、デバイス設計・試作・評価等を担当します。

応募資格・募集要項・仕事内容を見る

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給与600〜950万円/年

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応募資格

必須

応募について

  • ※第二新卒相当の方は大学・大学院での研究経験のみでも応募可能

募集要項最終確認 10/5

職種
研究職(応用研究員)
雇用形態
正社員
給与
600〜950万円/年
給与の詳細
年収 600万円〜950万円 月給30万円~月給50万円 (注)経験・能力などを考慮の上、決定いたします。 [賃金改定]年1回 6月改定 [賞与]年2回 6月、12月支給
手当
賃貸住宅家賃補助制度通勤費補助
勤務地
東京都日野市富士町1番地
働き方
・在宅勤務制度あり(最大月に10日)
勤務時間
国内:実働7時間45分(時間帯は事業所により異なります)・残業:平均月20H程度
年間休日
126日
休日・休暇
年間休日126日(2026年度)完全週休2日制祝日5月連休夏季年末年始 など年次有給休暇(初年度22日、次年度以降24日)結婚休暇配偶者出産休暇勤続休暇積立休暇看護休暇介護休暇 など
福利厚生
・独身寮・社宅(各事業所に完備)、賃貸住宅家賃補助制度、通勤費補助・財形貯蓄、社員持株会、共済会(加入必須(個人負担あり)・保養所、各種体育施設、各事業所内診療所診療所 など・自己啓発・リフレッシュ支援制度・休職制度(育児、介護)、就業時間短縮制度(育児、介護)、Location Flexible勤務制度(サテライト勤務、在宅勤務)
社会保険
・社会保険完備(健康、厚生年金、雇用、労災)
受動喫煙対策
屋内全面禁煙
学歴
大学卒業以上
掲載日
2026/10/05 22:27(1日前)
最終確認
2026/10/05 22:27(1日前)

仕事内容

業務内容

  • 車載向けや産業用向け等で世界的に需要が高まると見込まれている、注目のパワー半導体事業の研究開発(基礎研究)ポジションです。 先端技術研究所 次世代半導体研究センターにて、SiC、GaN等の次世代半導体材料を用いたパワーデバイスの開発業務、物性解析、プロセス開発、デバイス設計・試作・評価等の研究開発をお任せします。入社後は、以下の業務内容からご経験に応じた業務を担当していただきます。まずは研究テーマの一部に従事し、理解度に応じて複数のテーマに取り組んでいただきます。将来的にはリーダーとしてメンバーをまとめるキャリアパスを描いていただく予定です。

業務詳細:

  • 物性解析:電気的特性評価、分析的評価、第一原理計算等を用いて、材料物性に基づいたデバイス動作やプロセスに関わるメカニズム解明
  • プロセス開発:物理現象や材料特性にもとづいて、デバイス特性向上のための先端的なプロセスを提案・検討し、改善指針を構築
  • デバイス設計
  • 試作・評価:SiCやGaNを用いたパワーデバイス構造の検討、プロセス設計、試作および評価(電気特性、動作解析、信頼性評価等)

働き方

  • 在宅勤務制度あり(最大月に10日)
  • 残業:平均月20H程度

この求人は、富士電機株式会社の採用ページの内容をAIが読み取って整理したものです。応募の前に採用ページの原文を確かめてください。データの集め方企業サイト

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