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電動車向けインバータ及び電源機器用次世代パワー半導体の材料・デバイス・プロセス研究
給与
550〜1500万円/年※ 募集要項に記載のレンジ。実額は選考で決まります
- 勤務地
- 愛知県日進市
- 雇用形態
- 正社員
- 働き方
- ハイブリッド勤務
- 年間休日
- 非公開
仕事内容応用研究員
電動車向けインバータ及び電源機器用次世代パワー半導体の材料・デバイス・プロセス研究を行うポジション。SiC結晶成長技術やGaN、酸化ガリウム、ダイヤモンドなどの次世代パワー半導体の研究開発を、大学や研究機関と連携して進める。パワエレ第2研究開発部に所属し、カーボンニュートラル社会実現への貢献を目指す。
業務内容
- パワーデバイス材料研究、デバイス開発を行う。
- ウェハガス成長法の研究開発を行う。
- 横型GaN-HEMTのデバイス開発を行う。
- α酸化ガリウム半導体研究開発を行う。
- β酸化ガリウム半導体研究開発を行う。
- ダイヤモンド半導体研究開発を行う。
業務のやりがい・身につくスキル
- SiC結晶成長は他社を凌駕する独自の高速成長を達成しており、日本のSiC開発を牽引している実感を持てる。
- 中長期の戦略に基づき、ポストSiCデバイスとして可能性のあるパワー半導体材料・素子を幅広く研究対象にすることが可能。
- 大学や研究機関と共同研究を行っており、アカデミアとの共創で新しい技術開発を行うことができる。
募集背景
- 車両の電動化のためのキーデバイスであるSiCパワーデバイスのウェハインゴット製造、エピタキシャル成長技術の内製化に向けた研究開発を行っている。
- 第一原理計算や機械学習を駆使した装置・レシピ開発で、世界でも随一の高速かつ高品質な結晶成長を目指している。
- ポストSiCデバイスとして、GaNや酸化ガリウム、ダイヤモンド半導体など次世代のパワーデバイスの研究開発を大学や企業と連携して行っている。
職場情報
- パワエレ第2研究開発部は、xEV用インバータや電源関連製品に使われるパワー半導体の材料、デバイス、実装、回路、制御など幅広い技術を研究対象としている。
- SiCの結晶成長技術でミライズが唯一成功しているガス成長法の研究開発や、GaN、酸化ガリウム及びダイヤモンドなどの新規ワイドバンドギャップ半導体のR&Dを行っている。
- 国内の大学や新材料のトップランナーと連携しながら、最先端の技術をいち早く社会実装することを目指す。
- 部のスローガン「Humor Enhances Creativity」に従い、楽しんで研究開発を行っていくカルチャーがある。
- キャリア入社比率は約40%。
- 在宅勤務は週1回程度。
募集要項最終確認 9/15
- 雇用形態
- 正社員
- 想定年収
- 550〜1500万円/年
- 勤務地
- 愛知県日進市
- 働き方
- ハイブリッド勤務
- 年間休日
- 非公開
- 職種
- 応用研究員
- 経験年数
- 3年以上
- 掲載日
- 7/25
- 最終確認
- 9/15
応募資格（必須）
- パワー半導体材料またはデバイスに関する知見を有すること（大学卒業レベル）
- 半導体の材料開発、エピ成長開発、プロセス開発、製造装置開発、デバイス開発のいずれかの業務経験（3年以上）を有すること
歓迎する経験
- 第一原理計算、T-CADシミュレーション経験
- エピタキシャル成長に関するプロセス・装置開発経験（5年以上）
- ワイドバンドギャップ半導体の研究・開発経験（5年以上）
この求人は株式会社デンソーの採用ページの掲載内容をもとに構成しています。応募条件の最新情報は募集元をご確認ください。
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