4か月前
高周波化合物半導体エピ結晶成長技術開発及び量産展開(電子デバイス)
5G/6G基地局向けGaN-HEMTデバイスのエピタキシャル結晶成長について、技術開発および量産展開を担うポジションです。MOCVD等を用いた結晶成長プロセスの開発から量産ラインへの展開までを担当します。エピタキシャル結晶成長を担うチームに配属され、プロセス開発やデバイス設計と連携します。
450〜800万円/年
募集元で応募する4か月前
5G/6G基地局向けGaN-HEMTデバイスのエピタキシャル結晶成長について、技術開発および量産展開を担うポジションです。MOCVD等を用いた結晶成長プロセスの開発から量産ラインへの展開までを担当します。エピタキシャル結晶成長を担うチームに配属され、プロセス開発やデバイス設計と連携します。
450〜800万円/年
募集元で応募する4か月前
光デバイス製造におけるエピタキシャル結晶成長の製造技術エンジニアとして、MOCVD等によるプロセス開発、量産立ち上げ、歩留まり安定化、不具合対策などを担当します。製造装置の改善・新規導入や、原料・材料変動への対応、各工程との連携による課題解決も行います。
450〜800万円/年
募集元で応募する4か月前
光デバイス製造の前工程である半導体ウェハプロセスの製造技術を担当します。化合物半導体ウェハの各種プロセス技術について、製造技術開発、量産立ち上げ、歩留まり改善、不具合対策、製造装置の改善・新規導入、新製品のプロセス確立を行います。プロセス開発部や前後工程と連携して課題解決に取り組むポジションです。
450〜800万円/年
募集元で応募する4か月前
Process Engineerとして、プロセス設計の基礎資料、熱・物質収支、プロセスフロー図、P&IDs、機器・計器のサイジングやデータシートを作成します。水力計算、熱交換器の熱評価、圧力逃し計算、プロセスシミュレーション、ユーティリティ消費量の見積もり、運転マニュアルの作成も担当します。海外エンジニアリングセンターの管理や、顧客・他のEPC請負業者などプロセス関連当事者との調整も行います。
—給与 記載なし
募集元で応募する4か月前
入社直後は、半導体製造装置を用いた製造プロセスと、製品の検査・評価・データ解析業務を担当します。その後は適性を踏まえ、工程管理、技術開発、顧客対応などを担当します。製造拠点のある徳島、台湾、山北、秦野への出張があります。
560〜730万円/年
募集元で応募する95件中 91〜95件を表示
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