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パワーデバイス開発エンジニア
- 給与
- 記載なし
- 勤務地
- 愛媛県西条市
- 休日
- 記載なし
- 雇用形態
- 正社員
- オフィス出社
- 未経験OK
どんな仕事かAIによる生成
自動車向けおよびAI向け半導体デバイスに用いられる、半導体デバイス開発および製造プロセス開発を担います。構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発、デバイス構造設計、ウエハプロセスフロー構築およびデバイス測定評価を行い、要素プロセス技術、製品設計、品質保証など多部門と連携します。
この求人に応募
応募資格
必須
- 半導体デバイス構造設計やプロセス開発経験 5年以上（半導体物理の基礎知識、ウェハプロセス試作経験）
- 日本語：ビジネスレベル
歓迎
- ウエハレベル電気特性測定スキル
- TEG（Test Element Group）レイアウト設計スキル
- 英語：日常会話レベル
求める人物像
- 当分野トップレベルのエンジニアとしてスキルアップに取り組める方
応募について
- 半導体デバイス開発未経験の方でも
募集要項最終確認 10/23
- 職種
- 研究職（応用研究員）
- 雇用形態
- Full-time
- 給与
- 記載なし
- 勤務地
- 愛媛県西条市
- 働き方
- 3. リモート No
- 経験年数
- 5年以上
- 掲載日
- 2026/10/20 23:05（3日前）
- 最終確認
- 2026/10/23 02:51（今日）
仕事内容
募集背景
- 当社では、自動車向けの新規半導体デバイスに加え、今後の成長領域としてAI向け半導体デバイスの開発に注力しています。これらの製品に用いられる半導体デバイス開発および製造プロセス開発を強化するため、人材を募集します。 デバイス設計からプロセス開発、量産立ち上げまで幅広く関与し、製品価値の最大化に直接貢献していただきます。
半導体デバイス・プロセス開発
- 構想検討から量産技術確立までのウェハプロセス開発エンジニア
- デバイス構造設計やウエハプロセスフロー構築及びデバイス測定評価
- 要素プロセス技術、製品設計、品質保証など多部門との連携
- ※就業場所の変更の範囲、従事すべき業務の変更の範囲については、選考時に詳細をお伝えいたします。
この求人は、ルネサスエレクトロニクス株式会社の採用ページの内容をAIが読み取って整理したものです。応募の前に採用ページの原文を確かめてください。データの集め方企業サイト
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