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パワー半導体向け単結晶成長プロセス技術開発、製品設計及び工程・設備設計
給与
650〜1430万円/年※ 募集要項に記載のレンジ。実額は選考で決まります
- 勤務地
- 三重県いなべ市
- 雇用形態
- 正社員
- 働き方
- 記載なし
- 年間休日
- 非公開
仕事内容生産技術エンジニア
パワー半導体(SiC)向けウェハ製造の要素技術・プロセス技術開発、製品設計、生産技術開発、設備・工程設計を一気通貫で推進する正社員求人。無機材料・パワーエレクトロニクス・半導体の基礎知識と、関連分野での3年以上の実務経験が必須。想定年収650万円～1,430万円。
従事いただく職務内容
- SiC準備室は24年4月に新設され、パワー半導体(SiC)のプロセス技術開発、製品設計、生産技術開発、設備・工程設計を推進している。
- パワー半導体向けウェハ製造の要素技術・プロセス技術設計、生産技術開発に従事する。
- 具体的には単結晶成長技術開発、製品仕様・プロセス設計、製造設備制御技術開発、生産技術開発、設備・工程設計、品質保証・管理、社内外折衝、開発技術の権利化など。
- 要素技術開発から製品・設備・工程設計まで一気通貫で多岐な業務を経験できる。
- システム・素子設計部署との連携で半導体分野の幅広い知識・技術を習得できる。
- 国内外拠点を活用したグローバルな事業を牽引できる。
職場情報
- カーボンニュートラル社会を背景に車両電動化市場が拡大し、パワー半導体への市場ニーズも拡大している。
- SiCプロジェクト室はSiC半導体の中核として、素子・システム・OEMのニーズに対応したウェハの要素技術開発、製品設計、工程設計を一気通貫で担う。
- 20代～50代の年齢層、開発・設計・製造の経験を持つメンバーで構成され、半導体以外の素材・化学分野からの転職者も活躍している。
募集要項最終確認 7/25
- 雇用形態
- 正社員
- 想定年収
- 650〜1430万円/年
- 勤務地
- 三重県いなべ市
- 働き方
- 記載なし
- 年間休日
- 非公開
- 職種
- 生産技術エンジニア
- 経験年数
- 3年以上
- 掲載日
- 7/25
- 最終確認
- 7/25
応募資格（必須）
- 無機材料、パワーエレクトロニクス、半導体のどれかの基礎知識を有し、かつ以下いずれかのご経験をお持ちの方
- 半導体ウェハの製品設計、評価経験を3年以上お持ちの方
- 無機材料プロセス開発、工程設計経験を3年以上お持ちの方
- 結晶成長技術開発、生産技術開発及び設計の経験を3年以上お持ちの方
- 半導体ウェハの工程設計、生産技術経験を3年以上お持ちの方
- 半導体装置(結晶成長、加工、エピ）開発、設計を3年以上お持ちの方
歓迎する経験
- 気相反応(CVD)、化学反応、無機材料の知識と開発・設計経験
- SiCウェハ製造プロセス全般に関する経験・知識
- パワー半導体材料、単結晶に関する知識
- 技術開発における推進リーダ経験
- 海外企業との折衝経験
- 語学力（英語）：海外設備メーカとメールや電話会議でやりとりできるレベル（TOEIC610点以上）
求めるスキル・経験
この求人は株式会社デンソーの採用ページの掲載内容をもとに構成しています。応募条件の最新情報は募集元をご確認ください。
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募集元の採用ページから応募できます
応募は株式会社デンソーの採用ページで受け付けています。このページは採用ページの掲載内容をもとに構成しているため、最新の応募条件は募集元でご確認ください。
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