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パワー半導体のユニットプロセス開発エンジニア
- 勤務地
- 石川県能美市
- 休日
- 年間休日127日
- 雇用形態
- 正社員
どんな仕事かAIによる生成
MOSFETやIGBT等のSiパワー半導体デバイスのユニットプロセス開発を担当します。各工程のチームで専門家集団を形成し、チームで開発を進めます。
この求人に応募
応募資格
必須
以下いずれかのご経験をお持ちの方
- 半導体のユニットプロセス技術経験者
- 半導体装置メーカ、半導体材料メーカ等、半導体関連メーカに在籍され、ユニットプロセスの知見がある方
- 半導体に関連する研究を専攻されていた方
募集要項最終確認 10/20
- 職種
- 生産技術
- 雇用形態
- 正社員
- 給与
- 450〜1200万円/年
- 給与の詳細
- 年収 450万円〜1,200万円昇給：年1回 賞与：年2回（7月・12月）
- 手当
- 住宅手当次世代育成手当通勤手当時間外勤務手当深夜手当
- 勤務地
- 923-1293 石川県能美市岩内町１－１ 東芝デバイス＆ストレージ株式会社 加賀分室
- 働き方
- 在宅勤務制度あり
- 勤務時間
- ８：１５～１７：００（休憩１時間、所定労働時間７時間４５分） ※平均残業時間：２０ｈ程度 ※会社／事業所により異なる場合があります ※フレックスタイム制度あり ※在宅勤務制度あり
- 年間休日
- 127日
- 休日・休暇
- 年間休日127日（2023年度）週休2日制（土・日）祝日年末年始特別休日年次有給（初年度は入社月によって変動。半日取得可、最大24日付与、繰越制度あり）その他休暇（慶弔・夏季・災害休暇など）
- 福利厚生
- 寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり退職金制度あり、確定拠出年金制度あり
- 社会保険
- 健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険
- 受動喫煙対策
- 就業時間内は禁煙、喫煙所の使用は禁止としています
- 業務の変更の範囲
- 会社の指示する業務
- 就業場所の変更の範囲
- 会社の指示する場所 (労働者の自宅等リモートワークを行う場所を含む)
- 掲載日
- 2026/10/12 01:45（8日前）
- 最終確認
- 2026/10/20 00:17（今日）
仕事内容
募集背景
- 電力を供給、制御する役目を果たす半導体のパワーデバイスは、あらゆる電気機器の省エネルギー化に不可欠なデバイスであり、自動車の電動化や産業機器の自動化などを背景に、今後も継続的な需要拡大が見込まれています。
- 当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回、同社の既存建屋における200mmウエハー対応のクリーンルーム内に、300mmウエハー対応の製造ラインを敷設し、低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強します。
- それに伴い300mmウエハー対応の新製造ラインの構築、および新製品に対応した新規プロセス・装置を開発する人材や、化合物半導体の大口径化に適したウェーハ製造プロセス・装置を開発する人材を募集します。
仕事内容
- MOSFETやIGBT等のSiパワー半導体デバイスのユニットプロセス（成膜プロセス、リソグラフィ、ドライエッチング／ウェットエッチング、イオン注入など）の開発を進めていただきます。
- 各工程毎にチーム編成してそれぞれのプロセスで専門家集団を形成して業務を進めています。
- 各チームでリーダーシップを発揮して開発を牽引していただける人財を求めており、お任せする工程はこれまでのご経験をお伺いしたうえでご相談いたします。
この求人は、株式会社東芝の採用ページの内容をAIが読み取って整理したものです。応募の前に採用ページの原文を確かめてください。データの集め方企業サイト
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