その他職種条件を変える閉じる
SiCパワーデバイスのウエハプロセス開発
給与
450〜900万円/年※ 募集要項に記載のレンジ。実額は選考で決まります
- 勤務地
- 熊本県合志市
- 雇用形態
- 正社員
- 働き方
- ハイブリッド勤務
- 年間休日
- 131日
仕事内容その他職種
SiCパワーデバイスのイオン注入または拡散工程について、プロセス条件の構築、評価、改善を担当します。新規装置の立ち上げや量産適用検証にも携わり、次世代SiCデバイスの実用化・量産化を推進します。
職務内容
- SiCパワーデバイスのイオン注入または拡散工程のプロセス開発を担当。
- プロセスインテグレーション開発部門と連携しながら、次世代SiCデバイスのコア技術を構築する。
- 既存のイオン注入装置・拡散炉を用いた試作評価、電気特性やプロセスデータなどの整理・分析を行う。
- 評価結果に基づき課題を抽出し、プロセス条件の改善を検討する。
- 新規イオン注入装置・拡散炉の装置仕様確認、搬入、立ち上げに対応する。
- 装置メーカーや社内関連部門と連携し、条件出し、評価、量産適用検証を行う。
- 次世代SiCデバイスに求められるイオン注入工程・拡散工程のプロセス条件を構築する。
- デバイス特性向上、歩留まり改善、量産性向上に向けたプロセス最適化と課題解決を推進する。
組織のミッション
- プロセス開発部は、カーボンニュートラル社会の実現に貢献する次世代パワーデバイスのウエハプロセスの要素技術、プロセスインテグレーション及びテスト技術を開発する。
- 表面プロセス開発グループは、次世代パワーデバイス実現に向けた表面ウエハプロセスの要素技術を開発する。
業務のやりがい、魅力
- パワーデバイスはエアコン・自動車などの身近な製品から電力・電鉄などのインフラまで幅広い分野に利用されている。
- デバイスを考慮したウエハプロセス開発を通じて、ウエハプロセスだけでなくデバイスに関わるスキルも身につく。
当社事業・製品の強み
- 自動車、鉄道、産業機器、家電、再生可能エネルギーなど幅広い分野で高効率な電力変換を実現している。
- 材料・プロセス・デバイス・モジュールまでを一貫して開発・量産できる総合力を有する。
想定されるキャリアパス
- 入社後は担当領域におけるプロセス技術開発の実務を中心に経験を積む。
- 中長期的には関係部門も巻き込み、自らの判断で責任を持ってプロセス技術開発を推進する。
募集要項最終確認 9/10
- 雇用形態
- 正社員
- 想定年収
- 450〜900万円/年
- 勤務地
- 熊本県合志市
- 働き方
- ハイブリッド勤務
- 年間休日
- 131日
- 職種
- その他職種
- 経験年数
- 5年以上
- 掲載日
- 9/10
- 最終確認
- 9/10
応募資格（必須）
- 半導体業界での5年以上のウエハプロセス要素技術業務の経験
- 論理的に考え、建設的な議論ができる方。
- 周囲を巻き込みながら、主体的に業務を推進できる方。
- 目標達成に向けて、常に実現方法を考え、粘り強く業務に取り組める方。
- 従来のやり方にとらわれず、柔軟な発想で業務に取り組める方。
歓迎する経験
- イオン注入プロセス業務経験
- 拡散プロセス業務経験
- パワーデバイス業界での経験
- ウエハプロセス開発経験
- 装置メーカにて、イオン注入装置、拡散炉の業務経験(装置構造、動作原理を把握されている方)
待遇・福利厚生
- GW
- スポーツクラブ優待制度
- 住宅手当・家賃補助
- 住宅資金等各種融資
- 契約保養所
- 年末年始休暇
- 従業員持株会
- 社員互助会
- 社宅・寮
- 財形貯蓄制度
求めるスキル・経験
この求人は三菱電機株式会社の採用ページの掲載内容をもとに構成しています。応募条件の最新情報は募集元をご確認ください。
熊本県のその他職種の求人
募集元の採用ページから応募できます
応募は三菱電機株式会社の採用ページで受け付けています。このページは採用ページの掲載内容をもとに構成しているため、最新の応募条件は募集元でご確認ください。