パワー半導体向け単結晶成長プロセス技術開発、製品設計及び工程・設備設計
想定年収
650万〜1430万円
勤務地
愛知県 刈谷市
リモート
週0〜2日リモート
掲載中・最終確認 2026/6/1（3日前）
仕事内容
デンソーの該当ポジション。
求めるスキル・経験
必須
無機材料、パワーエレクトロニクス、半導体のどれかの基礎知識を有し、かつ
半導体ウェハの製品設計、評価経験を3年以上お持ちの方
無機材料プロセス開発、工程設計経験を3年以上お持ちの方
結晶成長技術開発、生産技術開発及び設計の経験を3年以上お持ちの方
半導体ウェハの工程設計、生産技術経験を3年以上お持ちの方
半導体装置(結晶成長、加工、エピ）開発、設計を3年以上お持ちの方
歓迎
気相反応(CVD)、化学反応、無機材料の知識と開発・設計経験
SiCウェハ製造プロセス全般に関する経験・知識
パワー半導体材料、単結晶に関する知識
技術開発における推進リーダ経験
海外企業との折衝経験
語学力（英語）：海外設備メーカとメールや電話会議でやりとりできるレベル（TOEIC610点以上）