仕事内容
化合物半導体エピタキシャル成長技術開発を担当し、光通信デバイスや高周波デバイスの性能を支える中核技術に携わります。原子オーダーで薄膜を制御する最上流工程において、設計から量産導入まで一貫して担当。データセンター向け光デバイスで世界トップシェアを誇る製品の性能向上に貢献し、理論を実装に落とし込む高度なエンジニアリングを実践できます。
職務内容
- 光通信用途を始めとしたデバイス開発を支える化合物半導体エピタキシャル成長技術開発を担当する。
- 結晶品質および量産安定性の最適化を目指し、設計・実験・解析・量産導入までを一貫して行う。
- InP／GaAs／GaN 系のIII-V 族化合物半導体のエピタキシャル成長を行う。
- MOCVD装置を用いたInP／GaAs／GaN 系のエピタキシャル成長条件の設定・調整を行う。
- デバイス仕様に応じたエピ構造の実現（量子井戸層、ヘテロ障壁層、ドーピング制御など）を行う。
- エピ成長後の膜厚・組成の評価（XRD、SIMS、PL、TEM、SEMなど）および解析を行う。
- 欠陥密度、表面粗さ、歪み量など、品質に直結するパラメータの定量化を行う。
- 光学特性（PLピーク、吸収端）、電気特性（キャリア濃度、移動度）の解析を行う。
- エピ成長条件の最適化と再現性向上、結晶品質のばらつき要因の特定、エピ成長装置の経時変化を考慮した安定化手法の検討を行う。
- 量産ラインでの再現性確保に向けた条件最適化、エピ成長装置のメンテナンス・安定動作管理を行う。
- 新規材料／構造のプロセス開発として、高速・低消費電力デバイス向けの多重量子井戸（MQW）構造の開発や新デバイス用途への新規材料展開を行う。
組織のミッション
- 高周波光デバイス製作所は、国内外顧客並びに社内部門に対する高周波デバイス製品・光デバイス製品の販売・開発を行う。
- ウエハ製造部は、高周波デバイス・光デバイスの半導体ウエハ製造、エピ/プロセスの生産技術、要素技術開発を担う。
- エピ技術課は、高周波デバイス・光デバイスのエピ構造開発、エピ量産技術を担う。
事業/製品の強み
- 当所の製品デバイスは、データセンター向け光デバイスで世界トップシェアを誇る実績を持つ。
- 5G/6G・衛星通信などにも製品を展開している。
業務の魅力
- 原子オーダーで薄膜を制御するエピタキシャル成長技術は、世界トップクラスのシェアを持つ光通信デバイスの性能を支える中核技術である。
- 「光」を生み出す最上流工程を担うことができる。
- 成長条件の最適化から量産化まで、自ら設計したプロセスが製品性能に直結する。
- 理論（量子力学・固体物理）を実装に落とし込む高度なエンジニアリングを実践できる。
想定されるキャリアパス
- エピ成長の技術開発と量産管理のとりまとめ業務を経て、成果と能力次第で管理職に登用される。
- エピ成長技術をベースに、プロセス要素技術や製品設計に携わるキャリアプランも可能。
採用背景
- 1960年代より積み重ねてきた化合物半導体技術は、AIの普及で大量の情報を処理するデータセンター、5Gなどの通信インフラ、センシング等に使用されている。
- 性能面で他社の追随を許さず、国内外でトップクラスのシェアを誇る。
- 近年、通信トラフィックは急速に増大しており、生産能力を大きく引き上げる「増産」へと踏み出すことになった。
- 最先端デバイスの性能を支える要となるエピタキシャル成長技術において、新規デバイス構造の開発や量産プロセスの高度化に対応するため、実務経験を持つエンジニアを募集する。
職場環境
- 残業時間は月平均20時間、繁忙期35時間。
- 出張は年数回程度ある。
- 転勤可能性はあるが、所内移動がメインで所外は稀。
- 中途社員の割合は約10%。
求めるスキル・経験
必須
歓迎
光通信デバイス、高周波デバイスなどの開発経験 高周波・RF回路設計
成膜・エッチング・評価など周辺プロセスの知識 半導体プロセス開発
英語スキル（論文調査、海外メーカーとの技術ディスカッションなど）
Python等を用いたデータ解析やプロセス制御スクリプト経験 Python
募集要項
- 職種
- 生産技術エンジニア
- 雇用形態
- 正社員
- 想定年収
- 500万〜1100万円
- 勤務地
- 兵庫県 伊丹市
- 出社・リモート
- ハイブリッド / 週3日リモート
- 必要経験
- 3年以上
- レベル
- メンバー
- 勤務時間
- スーパーフレックス（コアタイムなし） / 実働7.75時間 / 休憩45分
- 休日休暇
- 年間休日125日 / 完全週休2日制 / 祝日休み
- 給与の詳細
- 賞与 年2回 / 昇給 年1回
- 試用期間
- 3ヶ月