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三菱電機株式会社

化合物半導体ウエハプロセスのエピタキシャル成長技術開発【高周波光デバイス製作所】 NEW

バックエンドエンジニア ハイブリッド 正社員 ミドル
想定年収
応相談
勤務地
兵庫県
リモート
リモート可
掲載中・最終確認 2026/6/1(3日前)

仕事内容

採用背景 1960年代より積み重ねてきた研究開発の歴史を継承し、今もなお進化を続ける当社の化合物半導体技術。その技術から生み出される高周波・光デバイスは、AIの普及で大量の情報を処理するデータセンター、5Gなどの通信インフラ、センシング等に使用されており、性能面で他社の追随を許さず、国内外でトップクラスのシェアを誇ります。

求めるスキル・経験

必須
工学系修士以上または同等の専門知識
スキルを有する方
化合物半導体(InP, GaAs, GaNなど)の結晶成長
評価経験に関する実務または研究(3年以上)
MOCVD、MBEなどの結晶成長装置の操作
プロセス設計経験
歓迎
記載なし

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