クロックバッファ/ジェネレータICのデバイス開発【半導体】
想定年収
360万〜600万円
勤務地
長野県 諏訪郡富士見町
リモート
出社
募集中
仕事内容
MD事業部にて、水晶振動子・水晶発振器のコア技術を活かし、新規にクロックバッファIC・クロックジェネレータICを開発する半導体デバイス開発職。仕様検討・設計・評価、顧客ニーズや市場動向を踏まえた商品企画・戦略立案、技術提案・企画業務を担う。勤務地は富士見または日野（東京）。
求めるスキル・経験
必須
アナログ回路設計/カスタムICレイアウト設計のいずれかの設計経験
新しいことにチャレンジする意欲
歓迎
クロックIC（バッファ／ジェネレータ）の設計・開発経験
PLL回路、発振回路、高周波差動出力回路などの高周波回路の設計経験
高周波信号の測定、評価経験
アナログ・ミックスドシグナル回路の知識