SiC/GaNパワー半導体のデバイスおよびプロセス研究開発
想定年収
550万〜1100万円
勤務地
愛知県 刈谷市
リモート
週0〜2日リモート
掲載中・最終確認 2026/6/1（3日前）
仕事内容
SiC、GaNパワー半導体(SiC-MOSFET、縦型GaN-MOSFET、横型GaN-HEMT)のデバイスおよびプロセスに関する研究開発。SiCエピおよびGaNウェハ技術の研究開発。
求めるスキル・経験
必須
半導体に関する知識を有すること
半導体デバイスの設計、評価、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験（研究開発、量産経験は問いません）
歓迎
パワー半導体に関する知識を有すること
半導体デバイス設計、プロセスインテグレーション、プロセス加工技術の開発経験（3年以上）
半導体加工設備の導入および改造経験
プロジェクトマネージャ、リーダまたはサブリーダの経験者