電動車向けインバータ及び電源機器用次世代パワー半導体の材料・デバイス・プロセス研究
想定年収
550万〜1500万円
勤務地
愛知県 刈谷市
リモート
週0〜2日リモート
掲載中・最終確認 2026/6/1（3日前）
仕事内容
パワーデバイス材料研究、デバイス開発。ウェハガス成長法の研究開発。横型GaN-HEMTのデバイス開発。α酸化ガリウム半導体研究開発。β酸化ガリウム半導体研究開発。ダイヤモンド半導体研究開発。
求めるスキル・経験
必須
パワー半導体材料またはデバイスに関する知見を有すること（大学卒業レベル）
半導体の材料開発、エピ成長開発、プロセス開発、製造装置開発、デバイス開発のいずれかの業務経験（3年以上）を有すること
歓迎
第一原理計算、T-CADシミュレーション経験
エピタキシャル成長に関するプロセス・装置開発経験（5年以上）
ワイドバンドギャップ半導体の研究・開発経験（5年以上）